[發明專利]分離裝置及分離方法有效
| 申請號: | 201810238950.6 | 申請日: | 2018-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN108878282B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 杉下芳昭 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 岳雪蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分離 裝置 方法 | ||
1.一種分離裝置,其特征在于,具備:
多個保持單元,其保持粘接片的端部,該粘接片在一面和另一面的至少一方粘附有多個被粘物或經分割而成為多個的被粘物;
分離單元,其使保持著所述粘接片的端部的所述保持單元相對移動,對所述粘接片賦予張力而擴大所述被粘物的相互間隔;
應力測定單元,其能夠測定在所述粘接片上施加的應力;
所述分離單元重復進行由第一移動及第二移動實現的往復移動,并且擴大所述被粘物的相互間隔,所述第一移動使所述保持單元向將所述被粘物的相互間隔擴大的擴張方向相對移動,所述第二移動使所述保持單元向所述擴張方向的相反方向即抗擴張方向相對移動,在向所述抗擴張方向的相對移動中,當所述應力測定單元檢測到在所述粘接片上施加的應力達到規定的下限值時,進行向所述擴張方向的相對移動。
2.一種分離裝置,其特征在于,具備:
保持單元,其保持粘接片的端部,該粘接片在一面和另一面的至少一方粘附有多個被粘物或經分割而成為多個的被粘物;
抵接單元,其在所述粘接片的比粘附有所述多個被粘物的被粘物粘接區域靠外側、且在所述保持單元所保持的被保持區域的內側,與該粘接片抵接;
分離單元,其使保持著所述粘接片的端部的所述保持單元及所述抵接單元相對移動,對所述粘接片賦予張力而擴大所述被粘物的相互間隔;
應力測定單元,其能夠測定在所述粘接片上施加的應力;
所述分離單元重復進行由第一移動及第二移動實現的往復移動,并且擴大所述被粘物的相互間隔,所述第一移動使所述保持單元及抵接單元向將所述被粘物的相互間隔擴大的擴張方向相對移動,所述第二移動使所述保持單元及抵接單元向所述擴張方向的相反方向即抗擴張方向相對移動,在向所述抗擴張方向的相對移動中,當所述應力測定單元檢測到在所述粘接片上施加的應力達到規定的下限值時,進行向所述擴張方向的相對移動。
3.一種分離方法,其特征在于,具有:
保持工序,其由多個保持單元保持粘接片的端部,該粘接片在一面和另一面的至少一方粘附有多個被粘物或經分割而成為多個的被粘物;
分離工序,其使保持著所述粘接片的端部的所述保持單元相對移動,對所述粘接片賦予張力而擴大所述被粘物的相互間隔;
應力測定工序,其能夠測定在所述粘接片上施加的應力;
在所述分離工序中,重復進行由第一移動及第二移動實現的往復移動,并且擴大所述被粘物的相互間隔,所述第一移動使所述保持單元向將所述被粘物的相互間隔擴大的擴張方向相對移動,所述第二移動使所述保持單元向所述擴張方向的相反方向即抗擴張方向相對移動,在向所述抗擴張方向的相對移動中,當在所述應力測定工序中檢測到在所述粘接片上施加的應力達到規定的下限值時,進行向所述擴張方向的相對移動。
4.一種分離方法,其特征在于,具有:
保持工序,其由保持單元保持粘接片的端部,該粘接片在一面和另一面的至少一方粘附有多個被粘物或經分割而成為多個的被粘物;
分離工序,其使抵接單元、以及保持著所述粘接片的端部的所述保持單元相對移動,對所述粘接片賦予張力而擴大所述被粘物的相互間隔,其中,所述抵接單元在所述粘接片的比粘附有所述多個被粘物的被粘物粘接區域靠外側、且在所述保持單元所保持的被保持區域的內側,與該粘接片抵接;
應力測定工序,其能夠測定在所述粘接片上施加的應力;
在所述分離工序中,重復進行由第一移動及第二移動實現的往復移動,并且擴大所述被粘物的相互間隔,所述第一移動使所述保持單元及抵接單元向將所述被粘物的相互間隔擴大的擴張方向相對移動,所述第二移動使所述保持單元及抵接單元向所述擴張方向的相反方向即抗擴張方向相對移動,在向所述抗擴張方向的相對移動中,當在所述應力測定工序中檢測到在所述粘接片上施加的應力達到規定的下限值時,進行向所述擴張方向的相對移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





