[發明專利]外延鰭狀結構的制作方法

有效

• 申請號: 201810234864.8
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN110299286B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 謝柏光;曾冠豪;林毓翔;蔡世鴻;曾于庭
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種外延鰭狀結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在該基底中形成一凹槽；

在該基底上形成一外延層，其中該外延層部分形成于該凹槽內且部分形成于該凹槽之外，該外延層具有一凹陷形成于該外延層的上表面上，且該凹陷于該基底的厚度方向上對應該凹槽；

在該外延層上共形地形成一氮化物層；

在該氮化物層上形成一氧化物層；

進行一第一平坦化制作工藝，用以移除部分的該氧化物層，其中該第一平坦化制作工藝停止在該氮化物層上；

對位于該凹槽內的該外延層進行圖案化，用以形成至少一外延鰭狀結構；以及

在該第一平坦化制作工藝之后以及形成該外延鰭狀結構之前，進行一第二平坦化制作工藝，用以移除該氧化物層、該氮化物層以及位于該凹槽之外的該外延層。

2.如權利要求1所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該氮化物層的一部分以及該氧化物層的一部分形成于該外延層的該凹陷中。

3.如權利要求2所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中形成于該凹陷中的該氮化物層以及該氧化物層于該第一平坦化制作工藝之后留在該凹陷中。

4.如權利要求1所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該第二平坦化制作工藝包括一回蝕刻制作工藝，且該第一平坦化制作工藝包括一化學機械研磨制作工藝。

5.如權利要求4所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該回蝕刻制作工藝對該氮化物層的蝕刻率高于該回蝕刻制作工藝對該外延層的蝕刻率。

6.如權利要求4所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該回蝕刻制作工藝對該氧化物層的蝕刻率高于該回蝕刻制作工藝對該外延層的蝕刻率。

7.如權利要求4所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該回蝕刻制作工藝中使用的制作工藝氣體包括六氟化碳與六氟化硫。

8.如權利要求4所述的外延鰭狀結構的制作方法，還包括：

在形成該凹槽之前，在該基底上形成一氧化物掩模層，其中該第二平坦化制作工藝停止在該氧化物掩模層上。

9.如權利要求1所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該氧化物層厚于該氮化物層。

10.如權利要求1所述的外延鰭狀結構的制作方法，其中該外延層的厚度大于該凹槽的深度。

11.如權利要求1所述的外延鰭狀結構的制作方法，還包括：

在形成該外延層之前，在該凹槽中形成一緩沖層，其中該凹槽中的該外延層形成于該緩沖層上。