[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810234077.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108695355B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 延智慧;成漢珪;林完泰;沈成鉉;H·柳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/44;F21V19/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 張帆;張青 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 發(fā)光 裝置 | ||
一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括:多個(gè)發(fā)光單元,其包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的有源層;絕緣層,其位于所述多個(gè)發(fā)光單元上,并且在所述多個(gè)發(fā)光單元中的每一個(gè)中,絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口,所述第一開(kāi)口和第二開(kāi)口分別限定第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二接觸區(qū);連接電極,其位于絕緣層上,并且將第一接觸區(qū)與第二接觸區(qū)連接,以將所述多個(gè)發(fā)光單元彼此電連接;透明支承襯底,其位于絕緣層和連接電極上;以及透明鍵合層,其位于絕緣層與透明支承襯底之間。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
于2017年3月31日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的標(biāo)題為“半導(dǎo)體發(fā)光裝置”的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2017-0041710以引用方式全文并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
通常,半導(dǎo)體發(fā)光裝置由于其各種優(yōu)點(diǎn)(例如,低功耗、高亮度等)被廣泛用作光源。具體而言,不僅針對(duì)顯示裝置還針對(duì)各種照明裝置已有利地采用半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
近來(lái),已按照在高額定電流下使用的多單元結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)施半導(dǎo)體發(fā)光裝置。例如,半導(dǎo)體發(fā)光裝置可具有這樣的結(jié)構(gòu),其中提供了電連接至單個(gè)襯底的多個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片(即,LED單元)。這種電連接(例如,布線或金屬布線)不僅可為復(fù)雜的而且可為容易短路的。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)示例實(shí)施例,一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括:具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和布置在它們之間的有源層的多個(gè)發(fā)光單元;絕緣層,其布置在所述多個(gè)發(fā)光單元的第一表面上,并且在所述多個(gè)發(fā)光單元中的每一個(gè)中,絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口,所述第一開(kāi)口和第二開(kāi)口分別限定第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二接觸區(qū);連接電極,其布置在絕緣層上,并且將第一接觸區(qū)與第二接觸區(qū)連接,以將所述多個(gè)發(fā)光單元彼此電連接;透明支承襯底,其布置在絕緣層和連接電極上;以及透明鍵合層,其布置在絕緣層與透明支承襯底之間。
根據(jù)示例實(shí)施例,一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括:半導(dǎo)體堆疊件,其具有布置為彼此相對(duì)的第一表面和第二表面,包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和布置在它們之間的有源層,并且通過(guò)隔離區(qū)被劃分為多個(gè)發(fā)光單元,第一表面和第二表面分別由第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層提供;絕緣層,其布置在半導(dǎo)體堆疊件的第二表面上,并且在所述多個(gè)發(fā)光單元中的每一個(gè)中,絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口,所述第一開(kāi)口和第二開(kāi)口分別限定第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二接觸區(qū);連接電極,其布置在絕緣層上,并且將第一接觸區(qū)與第二接觸區(qū)連接,以允許所述多個(gè)發(fā)光單元彼此電連接;透明鍵合層,其布置為覆蓋其中布置有絕緣層和連接電極的半導(dǎo)體堆疊件的第二表面;以及透明支承襯底,其具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面,透明支承襯底的第一表面通過(guò)透明鍵合層鍵合至半導(dǎo)體堆疊件的第二表面。
根據(jù)示例實(shí)施例,一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括:透明支承襯底,其具有第一端部區(qū)和第二端部區(qū)以及布置在第一端部區(qū)與第二端部區(qū)之間的發(fā)光區(qū);多個(gè)發(fā)光單元,其包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和布置在它們之間的有源層,并且所述多個(gè)發(fā)光單元排列在發(fā)光區(qū)上,以使得第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層面對(duì)透明支承襯底,所述多個(gè)發(fā)光單元彼此間隔開(kāi);絕緣層,其沿著布置在透明支承襯底中的所述多個(gè)發(fā)光單元的一個(gè)表面形成,并且在每個(gè)發(fā)光單元中,絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口,所述第一開(kāi)口和第二開(kāi)口分別限定第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二接觸區(qū);連接電極,其布置在絕緣層上,將彼此鄰近的不同發(fā)光單元的第一接觸區(qū)與第二接觸區(qū)連接,并且具有延伸至透明支承襯底的第一端部區(qū)和第二端部區(qū)的第一焊盤(pán)部分和第二焊盤(pán)部分;透明鍵合層,其布置在透明支承襯底與所述多個(gè)發(fā)光單元之間;以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部分,其包圍透明支承襯底,以覆蓋所述多個(gè)發(fā)光單元。
附圖說(shuō)明
通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例,特征對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得清楚,其中:
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





