[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810234077.3
• 申請(qǐng)日: 2018-03-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108695355B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 延智慧;成漢珪;林完泰;沈成鉉;H·柳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15;H01L33/62;H01L33/44;F21V19/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括：

多個(gè)發(fā)光單元，所述多個(gè)發(fā)光單元中的每個(gè)發(fā)光單元包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層之間的有源層；

絕緣層，其位于所述多個(gè)發(fā)光單元上，在所述多個(gè)發(fā)光單元中的每一個(gè)中，所述絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口和第二開(kāi)口分別限定所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的第二接觸區(qū)；

連接電極，其位于所述絕緣層上，并且將所述第一接觸區(qū)與所述第二接觸區(qū)連接，以將所述多個(gè)發(fā)光單元彼此電連接；

透明支承襯底，其位于所述絕緣層和所述連接電極上；以及

透明鍵合層，其位于所述絕緣層與所述透明支承襯底之間，

其中，所述連接電極位于所述絕緣層和所述透明支承襯底之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)發(fā)光單元排列為通過(guò)隔離區(qū)彼此間隔，所述絕緣層包括所述隔離區(qū)的底部上的第一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)在所述多個(gè)發(fā)光單元的從中去除了所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層和所述有源層的一些部分的區(qū)中。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述隔離區(qū)的寬度隨著與絕緣層的距離減小而減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括所述絕緣層上的鈍化膜，以覆蓋所述連接電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)發(fā)光單元具有凹凸部分，所述凹凸部分和所述絕緣層位于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的相對(duì)的表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，還包括折射率匹配層，其位于所述透明支承襯底的上表面上，所述折射率匹配層的折射率低于所述透明支承襯底的折射率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述透明鍵合層包括硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚丙烯酸脂、聚酰亞胺、聚酰胺和苯并環(huán)丁烯中的至少一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述透明鍵合層包括旋涂式玻璃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述透明支承襯底是玻璃襯底或藍(lán)寶石襯底。

11.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括：

半導(dǎo)體堆疊件，其具有彼此相對(duì)的第一表面和第二表面，所述半導(dǎo)體堆疊件包括第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層之間的有源層，并且所述半導(dǎo)體堆疊件的第一表面和第二表面分別為所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的表面；

隔離區(qū)，其將所述半導(dǎo)體堆疊件劃分為多個(gè)發(fā)光單元；

絕緣層，其位于所述多個(gè)發(fā)光單元上，在所述多個(gè)發(fā)光單元中的每一個(gè)中，所述絕緣層具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口，所述第一開(kāi)口和第二開(kāi)口分別限定所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的第二接觸區(qū)；

連接電極，其位于所述絕緣層上，并且將所述第一接觸區(qū)與所述第二接觸區(qū)連接，以將所述多個(gè)發(fā)光單元彼此電連接；

透明鍵合層，其覆蓋其中布置有所述絕緣層和所述連接電極的半導(dǎo)體堆疊件的第二表面；以及

透明支承襯底，其具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述透明支承襯底的第一表面通過(guò)所述透明鍵合層鍵合至所述半導(dǎo)體堆疊件的第二表面，

其中，所述連接電極位于所述絕緣層和所述透明支承襯底之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層的第一接觸區(qū)鄰近于所述半導(dǎo)體堆疊件的第二表面。