[發明專利]一種IGZO陣列基板的制備方法及IGZO陣列基板

在審

• 申請號: 201810233767.7
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108598004A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/44;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

本發明提供一種IGZO陣列基板的制備方法及IGZO陣列基板，通過一次構圖工藝對刻蝕阻擋層和柵極絕緣層同時圖案化，通過部分刻蝕有源層的源/漏極區域，同時形成連接柵極的第一過孔(深孔)和兩個連接有源層的第二過孔(淺孔)；進一步，通過控制有源層的源/漏極區域的刻蝕量在10～66.7％之間，可在保證IGZO陣列基板的性能的基礎上，達到簡化IGZO陣列基板的生產制程，節約成本的效果。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種IGZO陣列基板的制備方法及 IGZO陣列基板。

背景技術

IGZO是一種含有銦、鎵和鋅的非晶氧化物，其載流子遷移率是非晶硅的 20～30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，進而提高像素的響應速度，實現更快的刷新率，同時更快的響應也大大提高了像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能。另外，由于晶體管數量減少和提高了每個像素的透光率，IGZO顯示器具有更高的能效水平，而且效率更高。IGZO 可以利用現有的非晶硅生產線生產，只需稍加改動，因此在成本方面比低溫多晶硅(LTPS)更有競爭力。

在IGZO面板技術中，刻蝕阻擋型結構(ESL結構)相對背溝道蝕刻型結構 (BCE結構)的工藝制程更加復雜，但因為半導體層IGZO的溝道區域未受到源漏極金屬層(SD層)刻蝕時的損傷，因而獲得穩定TFT特性的工藝窗口更大，使得ESL結構更易實現量產化，因此如何在保證性能的基礎上，減少ESL結構 IGZO面板的工藝制程顯得意義深遠。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種IGZO陣列基板的制備方法及 IGZO陣列基板，通過該方法制備IGZO陣列基板，在保證IGZO陣列基板的性能的基礎上，可以簡化IGZO陣列基板的生產制程，節約成本。

為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為：

一種IGZO陣列基板的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：在基板和柵極上沉積柵極絕緣層；

步驟2：在柵極絕緣層上沉積IGZO薄膜，通過構圖工藝形成有源層的圖形；

步驟3：在有源層和柵極絕緣層上沉積刻蝕阻擋層；

步驟4：通過一次構圖工藝對刻蝕阻擋層和柵極絕緣層圖案化，形成第一過孔和兩個第二過孔，第一過孔與柵極連接，兩個第二過孔均與有源層連接；兩個第二過孔的深度相等且小于第一過孔的深度；IGZO薄膜的與兩個第二過孔相對的區域被部分刻蝕，刻蝕后IGZO薄膜的與兩個第二過孔相對的區域的厚度相等且為IGZO薄膜的未被刻蝕區域的厚度的33.3％～90％；

步驟5：在刻蝕阻擋層、第一過孔和兩個第二過孔上沉積第二金屬層；第二金屬層在第一過孔處與柵極連接；第二金屬層分別在兩個第二過孔處與有源層連接，并在兩個第二過孔處分別形成源極和漏極，源極和漏極之間的位置對應的有源層為溝道區域。

本發明采用的另一技術方案為：

一種IGZO陣列基板，包括基板和在所述基板上依次形成的柵極、柵極絕緣層、由IGZO薄膜形成的有源層、刻蝕阻擋層和第二金屬層；

所述第二金屬層通過第一過孔與所述柵極連接，所述第二金屬層分別通過兩個第二過孔與所述有源層連接；第二金屬層在兩個第二過孔處的部分分別為源極和漏極，所述源極和漏極之間的位置對應的有源層為溝道區域；與所述源極和漏極分別對應的IGZO薄膜的厚度相等且為溝道區域對應的IGZO薄膜的厚度的33.3％～90％。

本發明的有益效果在于：