[發明專利]一種IGZO陣列基板的制備方法及IGZO陣列基板

在審

• 申請號: 201810233767.7
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108598004A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/44;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

1.一種IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：在基板和柵極上沉積柵極絕緣層；

步驟2：在柵極絕緣層上沉積IGZO薄膜，通過構圖工藝形成有源層的圖形；

步驟3：在有源層和柵極絕緣層上沉積刻蝕阻擋層；

步驟4：通過一次構圖工藝對刻蝕阻擋層和柵極絕緣層圖案化，形成第一過孔和兩個第二過孔，第一過孔與柵極連接，兩個第二過孔均與有源層連接；兩個第二過孔的深度相等且小于第一過孔的深度；IGZO薄膜的與兩個第二過孔相對的區域被部分刻蝕，刻蝕后IGZO薄膜的與兩個第二過孔相對的區域的厚度相等且為IGZO薄膜的未被刻蝕區域的厚度的33.3％～90％；

步驟5：在刻蝕阻擋層、第一過孔和兩個第二過孔上沉積第二金屬層；第二金屬層在第一過孔處與柵極連接；第二金屬層分別在兩個第二過孔處與有源層連接，并在兩個第二過孔處分別形成源極和漏極，源極和漏極之間的位置對應的有源層為溝道區域。

2.根據權利要求1所述的IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟4中構圖工藝為：采用黃光、干刻蝕與剝離工藝對所述刻蝕阻擋層和柵極絕緣層圖案化。

3.根據權利要求1所述的IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟4還包括：對IGZO薄膜的被部分刻蝕的區域進行退火處理。

4.根據權利要求3所述的IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為200～450℃，退火時間為20～120min。

5.根據權利要求1所述的IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟4還包括：對IGZO薄膜的被部分刻蝕的區域進行摻雜或用等離子體導體化處理。

6.根據權利要求1～5任意一項所述的IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，在步驟5之后還包括如下步驟：

在第二金屬層和刻蝕阻擋層上形成鈍化層；

以及在鈍化層上形成像素電極，使像素電極與第二金屬層連接。

7.根據權利要求1～5任意一項所述的IGZO陣列基板的制備方法，其特征在于，在步驟5之后還包括如下步驟：

在第二金屬層和刻蝕阻擋層上形成鈍化層；

在鈍化層上形成平坦化層；

在平坦化層上形成底電極層；

在底電極層和平坦化層上形成第四絕緣層；

以及在第四絕緣層上形成像素電極，使像素電極與第二金屬層連接。

8.一種IGZO陣列基板，其特征在于，包括基板和在所述基板上依次形成的柵極、柵極絕緣層、由IGZO薄膜形成的有源層、刻蝕阻擋層和第二金屬層；

所述第二金屬層通過第一過孔與所述柵極連接，所述第二金屬層分別通過兩個第二過孔與所述有源層連接；第二金屬層在兩個第二過孔處的部分分別為源極和漏極，所述源極和漏極之間的位置對應的有源層為溝道區域；與所述源極和漏極分別對應的IGZO薄膜的厚度相等且為溝道區域對應的IGZO薄膜的厚度的33.3％～90％。

9.根據權利要求8所述的IGZO陣列基板，其特征在于，還包括在所述第二金屬層和刻蝕阻擋層上形成的鈍化層和在所述鈍化層上形成的像素電極，所述像素電極與所述第二金屬層連接。

10.根據權利要求9所述的IGZO陣列基板，其特征在于，還包括在所述第二金屬層和刻蝕阻擋層上形成的鈍化層、在所述鈍化層上形成的平坦化層、在所述平坦化層上形成的底電極層、在所述平坦化層和底電極層上形成的第四絕緣層和在所述第四絕緣層上形成的像素電極，所述像素電極與所述第二金屬層連接。