[發明專利]電子組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810233216.0
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN109427718B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 劉瑋瑋;翁煇翔
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發明提供一種電子組件，其包含芯片、第一保護層、第二保護層、第一導電柱及第二導電柱。所述芯片包含導電襯墊。所述第一保護層安置于所述芯片上。所述第一保護層限定第一開口以暴露所述芯片的所述導電襯墊。所述第二保護層安置于所述第一保護層上。所述第二保護層限定第二開口及第一凹槽。所述第二開口暴露所述芯片的所述導電襯墊。所述第一導電柱安置于所述第二開口內且電連接至所述導電襯墊。所述第二導電柱安置于所述第一凹槽內。所述第一導電柱的高度大體上等于所述第二導電柱的高度。所述第一凹槽的底部表面安置于所述第一保護層的頂部表面與所述第二保護層的頂部表面之間。

技術領域

本公開大體上涉及一種電子組件及其制造方法。更具體地，本公開涉及一種包含導電柱的電子組件及其制造方法。

背景技術

在電組件中，保護層安置于芯片或晶片的主動表面上，且所述保護層可具有多個開口以使導電襯墊暴露于用于電連接的芯片的主動表面上。導電柱安置于暴露的導電襯墊上以提供外部電連接，而虛設導電柱形成于保護層上以支撐芯片(且還維持共面性)以避免芯片彎曲或破裂。然而，由于虛設導電柱安置于保護層上，因此虛設導電柱的頂部部分高于導電柱的頂部部分，其可導致導電柱與外部電路或待接合的電路板之間的斷開。另外，由于虛設導電柱及保護層由不同材料形成，因此其間的連接可相對較弱。

發明內容

在一或多個實施例中，一種電子組件包含芯片、第一保護層、第二保護層、第一導電柱及第二導電柱。所述芯片包含導電襯墊。第一保護層經安置于芯片上。第一保護層限定第一開口以暴露芯片的導電襯墊。第二保護層經安置于第一保護層上。第二保護層限定第二開口及第一凹槽。第二開口暴露芯片的導電襯墊。第一導電柱安置于第二開口內且電連接至導電襯墊。第二導電柱安置于第一凹槽內。第一導電柱的高度大體上等于第二導電柱的高度。第一凹槽的底部表面安置于第一保護層的頂部表面與第二保護層的頂部表面之間。

在一或多個實施例中，一種電子組件包含芯片、第一保護層、第二保護層、第一導電柱及第二導電柱。所述芯片包含導電襯墊。第一保護層安置于芯片上。第一保護層限定第一開口以暴露芯片的導電襯墊。第二保護層安置于第一保護層上。第二保護層限定穿透第二保護層的第二開口以暴露芯片的導電襯墊，且限定部分地穿透第二保護層的第一凹槽。第一導電柱安置于第二開口內且電連接至導電襯墊。第二導電柱安置于第一凹槽內。

在一或多個實施例中，一種電子組件包含芯片、第一保護層、第二保護層、第一導電柱及第二導電柱。芯片包含導電襯墊。第一保護層安置于芯片上。第一保護層限定第一開口以暴露芯片的導電襯墊。第二保護層安置于第一保護層上。第二保護層限定穿透第二保護層的第二開口以暴露芯片的導電襯墊及第一凹槽。第一導電柱安置于第二開口內且電連接至導電襯墊。第二導電柱安置于第一凹槽內。第二保護層在第一保護層與第二導電柱之間。第一凹槽的寬度小于第二導電柱的寬度。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述最佳地理解本公開的方面。應注意，各種特征可能未按比例繪制，且各種特征的尺寸可出于論述清晰起見而任意增大或減小。

圖1說明根據本公開的一些實施例的電子組件的橫截面視圖；

圖2說明根據本公開的一些實施例的電子組件的橫截面視圖；

圖3說明根據本公開的一些實施例的電子組件的橫截面視圖；

圖4說明根據本公開的一些實施例的電子組件的橫截面視圖；以及

圖5A、圖5B及圖5C說明根據本公開的一些實施例的制造電子組件的方法的各種階段。

貫穿所述圖式及詳細描述使用共同參考數字以指示相同或類似元件。本公開將自結合附圖進行的以下詳細描述而更顯而易見。

具體實施方式