[發(fā)明專利]半導體裝置和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810232149.0
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108630757A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 西田真
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 金春實

提供一種半導體裝置和半導體裝置的制造方法。一個實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法具備以下工序：在半導體基板的表面形成柵極絕緣膜；在表面形成具有源區(qū)、漏區(qū)以及隔著柵極絕緣膜而與半導體基板的被源區(qū)和漏區(qū)夾入的部分對置的柵極電極的至少一個半導體元件；在表面之上形成第一膜；以及用酸性溶液清洗半導體基板。第一膜由在酸性溶液中帶電為與構(gòu)成半導體基板的材料相反的電位的材料構(gòu)成。形成第一膜的工序是在形成柵極絕緣膜的工序之前進行。第一膜形成為位于在俯視觀察時不與形成源區(qū)的部分、形成漏區(qū)的部分以及形成柵極電極的部分重疊的非有源區(qū)域內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導體裝置和半導體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

以往以來，已知一種日本特開2000-156380號公報(專利文獻1)所記載的半導體裝置的制造方法。專利文獻1所記載的半導體裝置的制造方法具備如下工序：形成設(shè)置有陷阱(trap)的陷阱圖案，該陷阱用于收集想要附著于電路圖案的異物；以及以使清洗液流入陷阱的方式用清洗液清洗半導體晶片。

根據(jù)專利文獻1所記載的半導體裝置的制造方法，能夠抑制因附著于電路圖案的異物引起的構(gòu)成電路圖案的構(gòu)造物之間的電氣短路。

發(fā)明內(nèi)容

在專利文獻1所記載的半導體裝置的制造方法中，如果想要將異物收集到陷阱圖案，則陷阱圖案變厚。因此，在專利文獻1所記載的半導體裝置的制造方法中，在形成陷阱圖案之后的工序中，必須考慮因陷阱圖案的厚度引起的高低差的影響。

其它課題和新的特征通過本說明書的記述和附圖會變得明確。

一個實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法具備以下工序：在半導體基板的表面形成柵極絕緣膜；在表面形成具有源區(qū)、漏區(qū)以及隔著柵極絕緣膜而與半導體基板的被源區(qū)和漏區(qū)夾入的部分對置的柵極電極的至少一個半導體元件；在表面之上形成第一膜；以及用酸性溶液清洗半導體基板。第一膜由在酸性溶液中帶電為與構(gòu)成半導體基板的材料相反的電位的材料構(gòu)成。形成第一膜的工序是在形成柵極絕緣膜的工序之前進行。第一膜形成為位于在俯視觀察時不與形成源區(qū)的部分、形成漏區(qū)的部分以及形成柵極電極的部分重疊的非有源區(qū)域內(nèi)。

本發(fā)明的上述及其它目的、特征、方面以及優(yōu)點會通過與附圖相關(guān)聯(lián)地理解的與本發(fā)明相關(guān)的接下來的詳細的說明變得明確。

附圖說明

圖1是第一實施方式所涉及的半導體裝置的放大頂視圖。

圖2是第一實施方式所涉及的半導體裝置的整體頂視圖。

圖3是第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖4是表示第一實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法的工序圖。

圖5是元件分離膜形成工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖6是第一膜形成工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖7是清洗工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖8是柵極絕緣膜形成工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖9是柵極電極形成工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖10是第一雜質(zhì)注入工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖11是側(cè)壁隔離物形成工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖12是第二雜質(zhì)注入工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。

圖13是預(yù)金屬(pre-metal)絕緣膜形成工序結(jié)束后的第一實施方式所涉及的半導體裝置的截面圖。