[發明專利]半導體裝置和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201810232149.0
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108630757A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 西田真
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金春實

1.一種半導體裝置的制造方法，具備：

在半導體基板的表面形成柵極絕緣膜的工序；

在所述表面形成具有源區、漏區以及隔著所述柵極絕緣膜而與所述半導體基板的被所述源區和所述漏區夾入的部分對置的柵極電極的至少一個半導體元件的工序；

在所述表面之上形成第一膜的工序；以及

用酸性溶液清洗所述半導體基板的工序，

其中，所述第一膜由在所述酸性溶液中帶電為與構成所述半導體基板的材料相反的電位的材料構成，

形成所述第一膜的工序是在形成所述柵極絕緣膜的工序之前進行，

所述第一膜形成為位于在俯視觀察時不與形成所述源區的部分、形成所述漏區的部分以及形成所述柵極電極的部分重疊的非有源區域內。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一膜由在pH為4以下的所述酸性溶液中帶電為與構成所述半導體基板的材料相反的電位的材料構成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

構成所述半導體基板的材料是硅，

構成所述第一膜的材料是氮化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述半導體元件的工序中形成多個所述半導體元件，

所述多個半導體元件構成在俯視觀察時彼此相分離地配置的多個元件塊，

所述第一膜配置于在俯視觀察時位于所述多個元件塊各自的內側的所述非有源區域內。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述半導體元件的工序中形成多個所述半導體元件，

所述多個半導體元件構成在俯視觀察時彼此相分離地配置的多個元件塊，

所述第一膜配置于在俯視觀察時位于相鄰的所述元件塊之間的所述非有源區域內。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述半導體元件的工序中形成多個所述半導體元件，

所述多個半導體元件構成在俯視觀察時彼此相分離地配置的多個元件塊，

所述第一膜配置于在俯視觀察時位于所述多個元件塊中的配置于最外側的所述元件塊的外側的所述非有源區域內。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還具備形成元件分離膜的工序，所述元件分離膜將所述半導體元件進行絕緣分離，

形成所述第一膜的工序是在形成所述元件分離膜的工序之前進行。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還具備在所述第一膜之上形成第二膜的工序，所述第二膜由在所述酸性溶液中帶電為與構成所述半導體基板的材料相反的電位的材料構成，

形成所述半導體元件的工序具有形成被配置于所述柵極電極的側方的側壁隔離物的工序，

所述第二膜和所述側壁隔離物由相同的材料構成，

形成所述第二膜的工序和形成所述側壁隔離物的工序同時進行。

9.一種半導體裝置，具備：

半導體基板，具有表面，且具有與所述表面相接地配置的源區以及與所述源區相分離且與所述表面相接地配置的漏區；

柵極電極，在所述表面，與所述半導體基板的被所述源區和所述漏區夾入的部分絕緣并對置；

半導體元件，由所述源區、所述漏區以及所述柵極電極構成；以及

第一膜，配置于所述表面之上，由在酸性溶液中帶電為與構成所述半導體基板的材料相反的電位的材料構成，

所述第一膜位于在俯視觀察時不與所述源區、所述漏區以及所述柵極電極重疊的非有源區域內。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件的數量為多個，

所述多個半導體元件構成元件塊，

所述第一膜位于在俯視觀察時位于所述元件塊的內側的所述非有源區域內。