[發(fā)明專利]一種寬頻間斷太赫茲輻射源以及對(duì)應(yīng)的激發(fā)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810231657.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108376899A | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于川;劉洪云;于文學(xué);楊小譽(yù) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都清大華科微晶材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01S1/02 | 分類號(hào): | H01S1/02 |
| 代理公司: | 四川力久律師事務(wù)所 51221 | 代理人: | 韓洋;陳明龍 |
| 地址: | 610101 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激發(fā)體 太赫茲波 反射體 太赫茲輻射源 寬頻 晶體的 斷裂 輸出波長(zhǎng) 波長(zhǎng) 激發(fā) 供能 配合 | ||
本發(fā)明涉及太赫茲波領(lǐng)域,特別是一種寬頻間斷太赫茲輻射源,其包括:激發(fā)體;反射體,所述反射體設(shè)置在所述激發(fā)體一側(cè);晶體,所述晶體設(shè)置在所述激發(fā)體的與所述反射體相對(duì)的一側(cè),所述激發(fā)體、反射體和晶體的配合滿足:對(duì)激發(fā)體供能使其啟動(dòng)后,最終從晶體的外表面輸出波長(zhǎng)處于10u?1000u范圍內(nèi)的且波形斷裂為若干段的太赫茲波,本發(fā)明的發(fā)明目的在于提供一種能夠產(chǎn)生波長(zhǎng)處于10u?1000u范圍內(nèi)的且波形斷裂為若干段的太赫茲波的太赫茲輻射源,還公開了一種寬頻間斷太赫茲波激發(fā)方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太赫茲波領(lǐng)域,特別是一種寬頻間斷太赫茲輻射源。
背景技術(shù)
THz波(太赫茲波)或稱為THz射線(太赫茲射線)是從上個(gè)世紀(jì)80年代中后期,才被正式命名的,在此以前科學(xué)家們將其統(tǒng)稱為遠(yuǎn)紅外射線。
太赫茲波是指頻率在0.1THz到10THz范圍的電磁波,波長(zhǎng)在0.03mm到3mm范圍,介于紅外線波段和毫米波之間。
從輻射波長(zhǎng)上看,其大小在電子和光子之間,屬于電子學(xué)向光子學(xué)的過渡區(qū),處于宏觀經(jīng)典理論向微觀量子理論的過渡區(qū)。
對(duì)太赫茲輻射波段兩側(cè)的紅外技術(shù)和微波技術(shù)已經(jīng)非常成熟,但是太赫茲技術(shù)還很不完善,究其緣由是因?yàn)榇瞬ǘ渭炔煌耆m合用光學(xué)理論來處理,也不完全適合用微波理論來研究,而且0.03mm到3mm的波長(zhǎng)范圍,就目前來看,范圍太大,而且在太赫茲波領(lǐng)域中,并沒有明確區(qū)分出這個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的哪些范圍的波長(zhǎng)具有特別的作用。
鑒于人體某些疾病與太赫茲波密切關(guān)聯(lián),申請(qǐng)人發(fā)現(xiàn),波長(zhǎng)全部處于10u-1000u范圍內(nèi)的寬頻間斷太赫茲波(在不同時(shí)刻,在不同溫度下該類太赫茲波在不同波長(zhǎng)區(qū)間具備不同特性的波態(tài),而這些波態(tài)全部處于10u-1000u這個(gè)較大的范圍內(nèi),以此定義所述“寬頻”,而這些波又是間斷不連續(xù)的,以此定義“間斷”),在醫(yī)學(xué)上有重大使用效果,但是遺憾的是,并沒有找到穩(wěn)定產(chǎn)生這種寬頻間斷太赫茲波的方法。
傳統(tǒng)的產(chǎn)生太赫茲波的方式有兩類,一是用電子學(xué)方法產(chǎn)生輻射源,電子學(xué)方法產(chǎn)生輻射源頻率超過1T時(shí),輸出功率和工作效率急劇下降,壽命縮短,新型結(jié)構(gòu)也受阻于微加工技術(shù)極限;二是用光學(xué)方法產(chǎn)生輻射源,光學(xué)方法產(chǎn)生輻射源雖可得到頻譜范圍較寬太赫茲輻射,但體積龐大昂貴、消耗大,應(yīng)用受限。
這兩種方式目前均存在技術(shù)缺陷,也無法同時(shí)穩(wěn)定的產(chǎn)生我們所需的10u-1000u這個(gè)范圍內(nèi)間斷太赫茲波(這里的“同時(shí)”一詞,即理解為:產(chǎn)生的不是單一波束,而是從10u-1000u間斷的若干段波,具備多個(gè)波峰、波谷)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明的發(fā)明目的在于提供一種能夠產(chǎn)生波長(zhǎng)處于10u-1000u范圍內(nèi)的且波形斷裂為若干段的太赫茲波的太赫茲輻射源。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
一種寬頻間斷太赫茲輻射源,其包括:
激發(fā)體;
反射體,所述反射體設(shè)置在所述激發(fā)體一側(cè);
晶體,所述晶體設(shè)置在所述激發(fā)體的與所述反射體相對(duì)的一側(cè),所述激發(fā)體、反射體和晶體的配合滿足:對(duì)激發(fā)體供能使其啟動(dòng)后,最終從晶體的外表面輸出波長(zhǎng)處于10u-1000u范圍內(nèi)的且波形斷裂為若干段的太赫茲波(這里的段也包括波長(zhǎng)只鎖定在某一數(shù)值的太赫茲波)。
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