[發明專利]一種寬頻間斷太赫茲輻射源以及對應的激發方法在審
| 申請號： | 201810231657.7 | 申請日： | 2018-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN108376899A | 公開（公告）日： | 2018-08-07 |
| 發明（設計）人： | 于川;劉洪云;于文學;楊小譽 | 申請（專利權）人： | 成都清大華科微晶材料有限責任公司 |
| 主分類號： | H01S1/02 | 分類號： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 四川力久律師事務所 51221 | 代理人： | 韓洋;陳明龍 |
| 地址： | 610101 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激發體 太赫茲波 反射體 太赫茲輻射源 寬頻 晶體的 斷裂 輸出波長 波長 激發 供能 配合 | ||
1.一種寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，包括：
激發體；
反射體，所述反射體設置在所述激發體一側；
晶體，所述晶體設置在所述激發體的與所述反射體相對的一側，所述激發體、反射體和晶體的配合滿足：對激發體供能使其啟動后，最終從晶體的外表面輸出波長處于10u-1000u范圍內的且波形斷裂為若干段的太赫茲波。
2.根據權利要求1所述的寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，所述晶體被配置為：和所述激發體以及所述反射體配合使用后，最終從晶體的外表面輸出波長處于10u-1000u范圍內的且波形斷裂為若干段的太赫茲波。
3.根據權利要求2所述的寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，所述晶體為層狀結構，其由若干個片狀的分晶體疊加而成。
4.根據權利要求3所述的寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，所述分晶體包括：由電子晶體、光子晶體或兩者組合而成的晶體構成的第一分晶體。
5.根據權利要求3所述的寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，所述分晶體包括：包含有電子晶體、光子晶體或同時包含兩者的第二分晶體。
6.根據權利要求4所述的寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，所述分晶體還包括：包含有電子晶體、光子晶體或同時包含兩者的第二分晶體。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的寬頻間斷太赫茲輻射源，其特征在于，所述波形斷裂為若干段的太赫茲波中，具備某一固定波長的波。
8.一種寬頻間斷太赫茲波激發方法，其特征在于，包括步驟：
在激發體兩側設置晶體和反射體，使所述激發體、反射體和晶體的配合滿足：對激發體供能使其啟動后，最終從晶體的外表面輸出波長處于10u-1000u范圍內的且波形斷裂為若干段的太赫茲波；
對激發體供能使其啟動。
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