[發明專利]一種溫度檢測電路和閃存

有效

• 申請號: 201810230952.0
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN110310694B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 魏勝濤;王美鋒;劉銘;鄧龍利
• 申請（專利權）人: 合肥格易集成電路有限公司;西安格易安創集成電路有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56;G11C29/50;G01K11/00
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明提供了一種溫度檢測電路和閃存。所述電路包括電源電壓端、第一電阻、溫度檢測器、模數轉換器和溫度轉換器；所述第一電阻的兩端分別連接所述電源電壓端和第一節點；所述溫度檢測器連接所述第一節點；所述溫度檢測器，用于根據環境溫度和電源電壓，在所述第一節點處產生第一電壓；所述模數轉換器分別連接所述第一節點和所述溫度轉換器；所述模數轉換器，用于將所述模擬信號的第一電壓轉換為數字信號的第二電壓，并將所述第二電壓輸入至所述溫度轉換器；所述溫度轉換器，用于將所述第二電壓轉換為對應的溫度值。本發明實施例的溫度檢測電路適用于低電源電壓的應用場景。

技術領域

本發明涉及存儲設備技術領域，尤其涉及一種溫度檢測電路和閃存。

背景技術

BJT(Bipolar Junction Transistor，三極管)具有隨環境溫度升高，PN結電壓下降的負壓特性，因此，溫度檢測電路中常采用BJT檢測環境溫度。但是，BJT的PN結電壓一般在0.7V左右，在低電源電壓的應用場景下，比如電源電壓為1.6V，除去結電壓后的剩余電壓余量很小，容易導致后續電路中的NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬-氧化物-半導體)管和PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金屬-氧化物-半導體)管均無法導通，造成溫度檢測電路不能正常工作。因此，上述的溫度檢測電路不適用于低電源電壓的應用場景。

發明內容

本發明實施例提供一種溫度檢測電路和閃存，以解決現有技術中采用BJT的溫度檢測電路不適用于低電源電壓的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種溫度檢測電路，所述電路包括電源電壓端、第一電阻、溫度檢測器、模數轉換器和溫度轉換器；

所述第一電阻的兩端分別連接所述電源電壓端和第一節點；

所述溫度檢測器連接所述第一節點；所述溫度檢測器，用于根據環境溫度和電源電壓，在所述第一節點處產生第一電壓；

所述模數轉換器分別連接所述第一節點和所述溫度轉換器；所述模數轉換器，用于將所述模擬信號的第一電壓轉換為數字信號的第二電壓，并將所述第二電壓輸入至所述溫度轉換器；

所述溫度轉換器，用于將所述第二電壓轉換為對應的溫度值。

可選地，所述溫度檢測器包括依次連接的PTAT電流源、去除直流模塊和電流放大模塊；

所述PTAT電流源，用于根據所述環境溫度產生第一電流；

所述去除直流模塊，用于去除所述第一電流中的低溫直流電流，產生第二電流；

所述電流放大模塊，用于按照預設比例對所述第二電流進行放大產生第三電流，以使所述第一節點處根據所述第一電阻、所述第三電流和所述電源電壓產生所述第一電壓。

可選地，所述PTAT電流源包括放大器、第一晶體管、第二電阻和三極管；

所述放大器的第一輸入端連接參考電壓端，所述放大器的第二輸入端連接第二節點，所述放大器的輸出端連接所述第一晶體管的控制極；

所述第一晶體管的第一極連接所述電源電壓端，所述第一晶體管的第二極連接所述第二節點；

所述第二電阻的兩端分別連接所述第二節點和所述三極管的第一極；

所述三極管的第二極連接接地端，所述三極管的基極連接所述三極管第一極和第二極中的集電極。

可選地，所述去除直流模塊包括第二晶體管、恒流源和第三晶體管；

所述第二晶體管的控制極連接所述第一晶體管的控制極，所述第二晶體管的第一極連接所述電源電壓端，所述第二晶體管的第二極連接所述第三晶體管的第一極；