[發(fā)明專利]一種溫度檢測電路和閃存

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810230952.0
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN110310694B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏勝濤;王美鋒;劉銘;鄧龍利
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥格易集成電路有限公司;西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56;G11C29/50;G01K11/00
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種溫度檢測電路，其特征在于，所述電路包括電源電壓端、第一電阻、溫度檢測器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和溫度轉(zhuǎn)換器；

所述第一電阻的兩端分別連接所述電源電壓端和第一節(jié)點；

所述溫度檢測器連接所述第一節(jié)點；所述溫度檢測器，用于根據(jù)環(huán)境溫度和電源電壓，在所述第一節(jié)點處產(chǎn)生第一電壓；

所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器分別連接所述第一節(jié)點和所述溫度轉(zhuǎn)換器；所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用于將模擬信號的第一電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的第二電壓，并將所述第二電壓輸入至所述溫度轉(zhuǎn)換器；

所述溫度轉(zhuǎn)換器，用于將所述第二電壓轉(zhuǎn)換為對應(yīng)的溫度值；

其中，所述溫度檢測器包括依次連接的PTAT電流源、去除直流模塊和電流放大模塊；

所述PTAT電流源，用于根據(jù)所述環(huán)境溫度產(chǎn)生第一電流；

所述去除直流模塊，用于去除所述第一電流中的低溫直流電流，產(chǎn)生第二電流；

所述電流放大模塊，用于按照預(yù)設(shè)比例對所述第二電流進(jìn)行放大產(chǎn)生第三電流，以使所述第一節(jié)點處根據(jù)所述第一電阻、所述第三電流和所述電源電壓產(chǎn)生所述第一電壓；

其中，所述PTAT電流源包括放大器、第一晶體管、第二電阻和三極管；

所述放大器的第一輸入端連接參考電壓端，所述放大器的第二輸入端連接第二節(jié)點，所述放大器的輸出端連接所述第一晶體管的控制極；

所述第一晶體管的第一極連接所述電源電壓端，所述第一晶體管的第二極連接所述第二節(jié)點；

所述第二電阻的兩端分別連接所述第二節(jié)點和所述三極管的第一極；

所述三極管的第二極連接接地端，所述三極管的基極連接所述三極管第一極和第二極中的集電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述去除直流模塊包括第二晶體管、恒流源和第三晶體管；

所述第二晶體管的控制極連接所述第一晶體管的控制極，所述第二晶體管的第一極連接所述電源電壓端，所述第二晶體管的第二極連接所述第三晶體管的第一極；

所述第三晶體管的控制極連接所述第三晶體管的第一極，所述第三晶體管的第二極連接所述接地端；

所述恒流源的兩端分別連接所述第三晶體管的第一極和所述第三晶體管的第二極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電流放大模塊包括第四晶體管；

所述第四晶體管的控制極連接所述第三晶體管的控制極，所述第四晶體管的第一極連接所述第一節(jié)點，所述第四晶體管的第二極連接所述接地端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管均為PMOS管，所述第一晶體管和所述第二晶體管的第一極均為源極，所述第一晶體管和所述第二晶體管的第二極均為漏極；

所述第三晶體管和所述第四晶體管均為NMOS管，所述第三晶體管和所述第四晶體管的第一極均為漏極，所述第三晶體管和所述第四晶體管的第二極均為源極。

5.一種閃存，其特征在于，所述閃存包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的溫度檢測電路。