[發明專利]中空立方體氯化亞銅薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201810230478.1 | 申請日： | 2018-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN108277520B | 公開（公告）日： | 2020-04-14 |
| 發明（設計）人： | 王西新;胡紅麗;趙建玲;龔麗園 | 申請（專利權）人： | 河北工業大學 |
| 主分類號： | C25D11/34 | 分類號： | C25D11/34 |
| 代理公司： | 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 趙鳳英 |
| 地址： | 300130 天津市紅橋區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 中空 立方體 氯化 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種中空立方體氯化亞銅薄膜的制備方法，其特征為該方法包括以下步驟：
將銅片放入馬弗爐里，在200℃煅燒1.5-2.5 h；然后將其作為陽極，鉑片作為陰極，陽極與陰極間距離為2.0cm，浸入電解液中，采用20V直流電進行陽極氧化，反應時間為50-70min；反應結束后取下銅片，用去離子水浸泡、清洗，吹干，即得中空立方體氯化亞銅薄膜；
所述的電解液的組成為氯化銨、冰醋酸和水，每100g水中加入0.5-0.7 g氯化銨和0.1-0.2 g冰醋酸。
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