[發明專利]一種半導體器件的制作方法、半導體器件及電子裝置

在審

• 申請號: 201810229806.6
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN110310893A
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟a)，提供半導體襯底；

步驟b)，在所述半導體襯底上形成鰭式結構；

步驟c)，在所述鰭式結構上形成橫跨所述鰭式結構的虛擬柵極；

步驟d)，刻蝕所述鰭式結構的位于所述虛擬柵極兩側的部分至所述半導體襯底的頂表面；

步驟e)，在所述頂表面上沉積底部隔離層；

步驟f)，在所述底部隔離層上外延生長源區和漏區。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟f)之后，還包括以下步驟：

步驟g)，在所述虛擬柵極之間沉積層間介質，并研磨所述層間介質；

步驟h)，去除所述虛擬柵極和所述虛擬柵極下方的部分所述鰭式結構；

步驟i)，在去除的所述虛擬柵極和所述虛擬柵極下方的部分所述鰭式結構的位置形成高K金屬柵，所述高K金屬柵環繞所述鰭式結構的未被去除的部分，以形成環繞式柵極結構。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述鰭式結構包括多個堆迭的材料層。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述多個堆迭的材料層包括硅鍺層和/或硅層。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述硅鍺層和所述硅層從下至上依次堆迭，在步驟h)中，去除的是位于所述硅層下面的所述硅鍺層。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述鰭式結構之后，所述虛擬柵極形成之前，還包括在所述鰭式結構的頂面和側面形成氧化物的步驟。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述虛擬柵極之后，還包括在所述虛擬柵極的兩側形成間隙壁的步驟。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括在所述半導體襯底的表面上形成有隔離材料層的步驟。

9.一種根據權利要求1至8之一所述的方法制備得到的半導體器件。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求9所述的半導體器件。