[發明專利]一種雙極性線路板的制作工藝

有效

• 申請號: 201810228607.3
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN108400114B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 沈利明
• 申請（專利權）人: 江蘇金泰新減速機有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/77
• 代理公司: 東營雙橋專利代理有限責任公司 37107
• 代理人: 李夫壽

本發明公開了一種雙極性線路板的制作工藝，包括以下步驟：S1、襯底的選擇：選擇100晶向的硅片以及襯底的電阻率選擇ρ≈10Ω.cm；S2、第一次光刻：n+隱埋層擴散孔光刻；S3、生長外延層；S4、第二次光刻：P隔離擴散孔光刻；S5、第三次光刻：N型基區擴散孔光刻；S6、第四次光刻：N+發射區、集電極歐姆接觸區光刻；S7、第五次光刻：引線孔光刻；S8、淀積鋁：采用金屬鋁作為電極引線，進行鋁的淀積，用蒸發與濺射的方法在表面淀積一層金屬鋁；S9、第六次光刻：反刻鋁，按照電路的連接要求刻出相應的鋁條形狀，把表面多余的鋁膜通過反刻除去，制作成一個npn型晶體管。

技術領域

發明涉及線路板的制作技術領域，具體為一種雙極性線路板的制作工藝。

背景技術

典型的pn結隔離工藝是實現集成電路制造的最原始工藝，迄今為止產生的雙極型集成電路制造工藝都是在此基礎上為達到特定的目的增加適當的工序來完成的。

目前的雙極性線路板的制作工藝，存在電隔離效果不理想；晶體管工作性能較差及不能夠形成歐姆接觸所必須的介質；雙極性線路板的制作效果差和防護系數低的問題。

發明內容

發明的目的在于提供一種雙極性線路板的制作工藝，以解決上述背景技術中提出目前的雙極性線路板的制作工藝，存在電隔離效果不理想；晶體管工作性能較差及不能夠形成歐姆接觸所必須的介質；雙極性線路板的制作效果差和防護系數低的問題。

為實現上述目的，發明提供如下技術方案：一種雙極性線路板的制作工藝，

包括以下步驟：

S1、襯底的選擇：選擇100晶向的硅片以及襯底的電阻率選擇ρ≈10Ω.cm；

S2、第一次光刻：n+隱埋層擴散孔光刻，雙極型集成電路各元器件均從表面實現互聯，為了減少集電極串聯電阻效應，減小寄生pnp晶體管的影響，在制作元器件的襯底和外延層之間制作n+隱埋層，n+隱埋層形成的具體步驟包括甩膠、掩膜對準、曝光、顯影、刻蝕、去膠、離子注入以及去膠等；

S3、生長外延層：n+隱埋層形成之后生長一層p型層來作為npn晶體管的集電極，后面形成的基極與發射極也是通過在外延層上摻雜來獲得，外延層生長時，要對其厚度及電阻率進行分析，保證外延層的厚度至少要大于隱埋層上推距離、幾點結耗盡區寬度、基區擴散結深以及后道工序生成氧化成所消耗的外延層厚度之和，外延層上推小，電阻率應取大，飽和壓降小，電阻率應取小；

S4、第二次光刻：P隔離擴散孔光刻，實現器件之間的隔離外延后對外延層表面進行氧化，形成一定厚度的氧化層，然后光刻氧化層形成隔離擴散窗口，再進行P+擴散和推進，隔離擴散深度大于外延層厚度，設置為Tepi的125％，使隔離p+擴散與襯底有一定寬度的接觸；

S5、第三次光刻：N型基區擴散孔光刻，形成npn晶體管的基極，進行基區光刻之后用擴散或離子注入的方法進行基區摻雜，由于基區的濃度和結深對器件的特性有顯著影響，因此基區摻雜由摻雜和再分布兩步完成，摻入的雜質為p與As雜質；

S6、第四次光刻：N+發射區、集電極歐姆接觸區光刻，進行摻雜的發射區，發射區光刻的同時形成晶體管發射區和集電區的歐姆接觸區，光刻之后進行發射區和集電極歐姆接觸區進行摻雜，摻雜濃度為最高級別；

S7、第五次光刻：引線孔光刻，將晶體管工作時與外部元件以及設備進行連接，把晶體管的各個電極采用金屬引線的方式引出，通過光刻把各個電極要淀積金屬引線的引線孔暴露出來；

S8、淀積鋁：采用金屬鋁作為電極引線，進行鋁的淀積，用“蒸發”與“濺射”的方法在表面淀積一層金屬鋁；

S9、第六次光刻：反刻鋁，按照電路的連接要求刻出相應的鋁條形狀，把表面多余的鋁膜通過反刻除去，制作成一個npn型晶體管。