[發(fā)明專利]一種雙極性線路板的制作工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810228607.3
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN108400114B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 沈利明
• 申請（專利權）人: 江蘇金泰新減速機有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/77
• 代理公司: 東營雙橋專利代理有限責任公司 37107
• 代理人: 李夫壽

1.一種雙極性線路板的制作工藝，其特征在于：包括以下步驟：

S1、襯底的選擇：選擇100晶向的硅片以及襯底的電阻率選擇ρ≈10Ω.cm；

S2、第一次光刻：n+隱埋層擴散孔光刻，雙極型集成電路各元器件均從表面實現互聯，為了減少集電極串聯電阻效應，減小寄生pnp晶體管的影響，在制作元器件的襯底和外延層之間制作n+隱埋層，n+隱埋層形成的具體步驟包括甩膠、掩膜對準、曝光、顯影、刻蝕、去膠、離子注入；

S3、生長外延層：n+隱埋層形成之后生長一層p型層來作為npn晶體管的集電極，后面形成的基極與發(fā)射極也是通過在外延層上摻雜來獲得，外延層生長時，要對其厚度及電阻率進行分析，保證外延層的厚度至少要大于隱埋層上推距離、集電結耗盡區(qū)寬度、基區(qū)擴散結深以及后道工序生成氧化層所消耗的外延層厚度之和;

S4、第二次光刻：P隔離擴散孔光刻，實現器件之間的隔離外延后對外延層表面進行氧化，形成一定厚度的氧化層，然后光刻氧化層形成隔離擴散窗口，再進行P+擴散和推進，隔離擴散深度大于外延層厚度，設置為Tepi的125%，使隔離p+擴散與襯底有一定寬度的接觸；

S5、第三次光刻：N型基區(qū)擴散孔光刻，形成npn晶體管的基極，進行基區(qū)光刻之后用擴散或離子注入的方法進行基區(qū)摻雜，基區(qū)摻雜由摻雜和再分布兩步完成，摻入的雜質為p與As雜質；

S6、第四次光刻：N+發(fā)射區(qū)、集電極歐姆接觸區(qū)光刻，進行摻雜的發(fā)射區(qū)，發(fā)射區(qū)光刻的同時形成晶體管發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的集電極歐姆接觸區(qū)，光刻之后進行發(fā)射區(qū)和集電極歐姆接觸區(qū)進行摻雜；

S7、第五次光刻：引線孔光刻，將晶體管工作時與外部元件以及設備進行

連接，把晶體管的各個電極采用金屬引線的方式引出，通過光刻把各個電極要淀積金屬引線的引線孔暴露出來；

S8、淀積鋁：采用金屬鋁作為電極引線，進行鋁的淀積，用蒸發(fā)與濺射的方法在表面淀積一層金屬鋁；

S9、第六次光刻：反刻鋁，按照電路的連接要求刻出相應的鋁條形狀，把表面多余的鋁膜通過反刻除去，制作成一個npn型晶體管。

2.如權利要求1所述的一種雙極性線路板的制作工藝，其特征在于：所述步驟9中制成的npn型晶體管，為了防止空氣中雜質離子及水蒸氣對npn型晶體管造成污染，待npn型晶體管制作完成之后淀積一層如磷硅玻璃與氮化硅作為保護層。