[發(fā)明專(zhuān)利]加工方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810224063.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108630536A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田渕智隆 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/304 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 被加工物 粘貼 槽形成 加工 噴射 激光加工裝置 分割預(yù)定線 切削刀具 噴射物 板狀 堵塞 分割 | ||
1.一種加工方法,是設(shè)定有多條分割預(yù)定線并且在板狀物的背面上形成有膜的被加工物的加工方法,其中,該加工方法具有如下的步驟:
槽形成步驟,從被加工物的正面沿著該分割預(yù)定線形成槽;
擴(kuò)展片粘貼步驟,在實(shí)施了該槽形成步驟之后,在被加工物的正面上粘貼擴(kuò)展片;
擴(kuò)展步驟,在實(shí)施了該擴(kuò)展片粘貼步驟之后,對(duì)該擴(kuò)展片進(jìn)行擴(kuò)展;以及
噴射步驟,在實(shí)施了該擴(kuò)展步驟之后,對(duì)被加工物的該膜噴射噴射物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加工方法,其中,
該加工方法具有如下的第一噴射步驟:在實(shí)施所述擴(kuò)展步驟之前,對(duì)被加工物的所述膜噴射噴射物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的加工方法,其中,
所述噴射物包含固態(tài)二氧化碳顆粒。
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- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





