[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810218193.6 | 申請日： | 2018-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN108622845A | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李明晏;宋嘉濠;黃敬涵;蔡育軒 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 支撐結(jié)構(gòu) 電子組件 半導(dǎo)體裝置 襯底 封裝 粘合劑 安置 覆蓋 制造 | ||
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置封裝。所述半導(dǎo)體裝置封裝包含襯底、支撐結(jié)構(gòu)、電子組件及粘合劑。所述支撐結(jié)構(gòu)安置于所述襯底上。所述電子組件安置于所述支撐結(jié)構(gòu)上。所述粘合劑安置于所述襯底與所述電子組件之間且覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)的硬度小于所述電子組件的硬度。
本申請要求2017年3月16日提交的美國臨時申請第62/472,431號的權(quán)益及優(yōu)先權(quán)，所述美國臨時申請的內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置封裝，更具體地說，涉及一種包含具有支撐元件的襯底的半導(dǎo)體裝置封裝及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體裝置封裝可包含通過粘合材料附接或接合到載體(襯底、引線框等等)的半導(dǎo)體裝置。接合線厚度(BLT)或粘合材料的厚度是可影響半導(dǎo)體裝置封裝的性能的一個因素。由于各種制造條件(例如產(chǎn)生于用以將半導(dǎo)體裝置附接或接合到載體的機器的誤差或偏離、粘合材料的特性等)，控制BLT是具有挑戰(zhàn)性的。
此外，半導(dǎo)體裝置附接或接合到的載體可具有孔以促進半導(dǎo)體裝置的性能(例如微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置)。但是，粘合材料可滲入或流入孔中，從而不利地影響半導(dǎo)體裝置封裝的性能。
另外，半導(dǎo)體裝置的重心可能不與其幾何中心重疊，此可在將半導(dǎo)體裝置放置到粘合材料時(或在這之后)使得半導(dǎo)體裝置傾斜。半導(dǎo)體裝置的傾斜也可能不利地影響半導(dǎo)體裝置封裝的性能。
發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一些實施例中，一種半導(dǎo)體裝置封裝包含襯底、支撐結(jié)構(gòu)、電子組件及粘合劑。所述支撐結(jié)構(gòu)安置于所述襯底上。所述電子組件安置于所述支撐結(jié)構(gòu)上。所述粘合劑安置于所述襯底與所述電子組件之間且覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)的硬度小于所述電子組件的硬度。
在本發(fā)明的一些實施例中，一種半導(dǎo)體裝置封裝包含襯底、支撐結(jié)構(gòu)、MEMS裝置及粘合劑。所述襯底具有穿透所述襯底的開口。所述支撐結(jié)構(gòu)安置于所述襯底上。所述MEMS裝置安置于所述支撐結(jié)構(gòu)上。所述MEMS裝置具有對應(yīng)于所述襯底的所述開口的空腔。所述粘合劑安置于所述襯底與所述MEMS裝置之間且覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)的硬度小于所述MEMS裝置的硬度。
在本發(fā)明的一些實施例中，一種制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法包含：(a)提供襯底；(b)在所述襯底上放置感光層；(c)去除所述感光層的一部分以形成支撐結(jié)構(gòu)；(d)施加粘合劑以覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)；及(e)經(jīng)由所述粘合劑將電子組件連接于所述支撐結(jié)構(gòu)上。
附圖說明
圖1A說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體裝置封裝的橫截面視圖；
圖1B說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖1A中的半導(dǎo)體裝置封裝的俯視圖。
圖1C由底視圖說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖1A中的MEMS；
圖2展示根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體裝置封裝的顯微鏡圖像；
圖3A、3B、3C、3D、3E及3F說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法；
圖4A、4B、4C、4D及4E說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法；
圖5A、5B、5C及5D說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法；且
圖6說明根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖5C中的半導(dǎo)體裝置封裝的透視圖。
貫穿所述圖式及具體實施方式使用共同參考數(shù)字以指示相同或類似元件。結(jié)合隨附圖式，根據(jù)以下具體實施方式，將容易理解本發(fā)明。
具體實施方式
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