[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請號: | 201810218107.1 | 申請日: | 2014-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN108470694B | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發明(設計)人: | 吉住明日香;樋口鲇美 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,對多個基板依次進行處理,其特征在于,
具有:
處理裝置主體,具有基板保持單元、旋轉驅動單元和杯,所述基板保持單元保持所述基板,所述旋轉驅動單元使所述基板保持單元旋轉,所述杯包圍所述基板保持單元的周圍,
控制單元,預先設定有多種基板處理模式,對所述處理裝置主體進行控制,來針對各基板選擇執行多種所述模式中的一種模式,
多種所述模式具有:
通常模式,所述通常模式是針對多個所述基板中的第1基板執行的模式,所述通常模式具有第1藥液處理和第1沖洗處理,在所述第1藥液處理中,一邊通過所述基板保持單元保持所述第1基板并使所述第1基板旋轉,一邊向所述第1基板供給藥液,來對所述第1基板進行藥液處理,在所述第1沖洗處理中,一邊通過所述基板保持單元保持所述第1基板并使所述第1基板旋轉,一邊向所述第1基板供給沖洗液,來從所述第1基板沖洗掉所述藥液,
特殊模式,所述特殊模式是針對多個所述基板中的在執行所述通常模式后成為處理對象的第2基板執行的模式,所述特殊模式具有第2藥液處理和第2沖洗處理,在所述第2藥液處理中,一邊通過所述基板保持單元保持所述第2基板并使所述第2基板旋轉,一邊向所述第2基板供給所述藥液,來對所述第2基板進行藥液處理,在所述第2沖洗處理中,在與所述第1沖洗處理不同的動作條件下,一邊通過所述基板保持單元保持所述第2基板并使所述第2基板旋轉,一邊向所述第2基板供給沖洗液,來一邊從所述第2基板沖洗掉所述藥液,一邊利用從旋轉的所述第2基板飛散的所述沖洗液對所述杯進行清洗,
所述第2沖洗處理具有速度調節子處理,在所述速度調節子處理中,對所述第2基板旋轉的旋轉速度進行可變調節,
所述速度調節子處理在所述第2沖洗處理的過程中使所述第2基板的旋轉速度從第1旋轉速度單向地降低到比所述第1旋轉速度慢的第二旋轉速度。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述通常模式被設定為多種所述模式中的默認模式,
將規定的標準作為基準,所述特殊模式例外地被周期性地選擇,
所述特殊模式是針對在所述通常模式執行規定的所述標準后成為處理對象的所述第2基板執行的模式。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述標準是時間,
所述特殊模式是針對在所述通常模式執行規定的時間后成為處理對象的所述第2基板執行的模式。
4.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述標準是基板的處理張數,
所述特殊模式是針對在所述通常模式執行規定張數的基板處理后成為處理對象的所述第2基板執行的模式。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第2沖洗處理具有位置調節子處理,在所述位置調節子處理中,使所述杯上下移動,來調節從所述第2基板飛散的所述沖洗液與所述杯相碰撞的位置。
6.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第2沖洗處理具有供給量調節子處理,在所述供給量調節子處理中,對向所述第2基板供給的所述沖洗液的供給量進行可變調節。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第1藥液處理和所述第2藥液處理是相同處理,
所述第1基板和所述第2基板是包括在實施相同藥液處理的規定張數的基板組的基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于斯克林集團公司,未經斯克林集團公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810218107.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種蝕刻裝置控制方法和系統
- 下一篇:一種制作黑硅太陽電池的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





