[發(fā)明專利]觸控模組、OGS觸控屏及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810215259.6 | 申請日: | 2018-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN108376041B | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬偉杰;楊忠正;陳啟程 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041;B32B17/00;B32B9/04;B32B7/12;B32B33/00;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模組 ogs 觸控屏 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明是關(guān)于一種觸控模組、OGS觸控屏及電子設(shè)備,涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域,所要解決的技術(shù)問題是使其進(jìn)一步降低反射率改善消影問題,同時(shí)進(jìn)一步提高透過率。主要采用的技術(shù)方案為:觸控模組,其包括:玻璃層;減反層,所述減反層設(shè)置在所述玻璃層的第一表面;第一膜層,所述第一膜層由Nb2O5層和SiO2層疊層而成,所述第一膜層的第一表面為Nb2O5層,所述第一膜層的第二表面為SiO2層,所述第一膜層的第一表面與所述玻璃層的第二表面貼合;傳感層,所述傳感層的一表面與所述第一膜層的第二表面貼合;SiOxNy層,所述SiOxNy層設(shè)置在所述傳感層的另一表面。本發(fā)明提供的觸控模組能夠?qū)⒄凵渎式档椭?%左右,進(jìn)而解決了消影問題,并提高了透過率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種觸控模組、OGS觸控屏及電子設(shè)備。
背景技術(shù)
OGS(One Glass Solution)是指在保護(hù)玻璃上直接形成ITO導(dǎo)電膜及傳感器的技術(shù),一塊玻璃同時(shí)起到保護(hù)玻璃和觸摸傳感器的雙重作用。OGS觸控屏將成為未來觸控產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)技術(shù)方向。
但是,目前市場上的OGS觸控屏普遍存在消影及透過率低等問題,對于低端產(chǎn)品尚可接受,但很難滿足高端產(chǎn)品的需求。因此需要不斷改進(jìn)OGS觸控屏的性能,改善其消影及透過率。
現(xiàn)有技術(shù)中,通過設(shè)置減反層的方式來解決上述問題,即在OGS觸控屏的保護(hù)玻璃上設(shè)置若干減反層,但是當(dāng)設(shè)置四層減反層時(shí),OGS觸摸屏的透過率達(dá)到了極限為95%,且具有1.5-3%左右的反射率,因此想在通過增加減反層的方式改善上述技術(shù)問題已經(jīng)非常困難。因此需要新的設(shè)計(jì)方案,來降低屏幕貼合后的反射率,同時(shí)提高OGS觸控屏的透過率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于,提供一種新型結(jié)構(gòu)的觸控模組、OGS觸控屏及電子設(shè)備,所要解決的技術(shù)問題是使其進(jìn)一步降低反射率改善消影問題,同時(shí)進(jìn)一步提高透過率。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種觸控模組,其包括:
玻璃層;
減反層,所述減反層設(shè)置在所述玻璃層的第一表面;
第一膜層,所述第一膜層由Nb2O5層和SiO2層疊層而成,所述第一膜層的第一表面為Nb2O5層,所述第一膜層的第二表面為SiO2層,所述第一膜層的第一表面與所述玻璃層的第二表面貼合;
傳感層,所述傳感層的一表面與所述第一膜層的第二表面貼合;
SiOxNy層,所述SiOxNy層設(shè)置在所述傳感層的另一表面。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
優(yōu)選的,前述的觸控模組,其中所述減反層由第一Nb2O5層、第一SiO2層、第二Nb2O5層以及第二SiO2層依次疊層設(shè)置;
其中,所述第一Nb2O5層設(shè)置在所述玻璃層的第一表面。
優(yōu)選的,前述的觸控模組,其中所述第一Nb2O5層的厚度為8-18nm,所述第一SiO2層的厚度為26-36nm,所述第二Nb2O5層的厚度為105-115nm,所述第二SiO2層的厚度為80-90nm。
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G06F3-05 .在規(guī)定的時(shí)間間隔上,利用模擬量取樣的數(shù)字輸入
G06F3-06 .來自記錄載體的數(shù)字輸入,或者到記錄載體上去的數(shù)字輸出
G06F3-09 .到打字機(jī)上去的數(shù)字輸出
G06F3-12 .到打印裝置上去的數(shù)字輸出





