[發明專利]觸控模組、OGS觸控屏及電子設備

有效

• 申請號: 201810215259.6
• 申請日: 2018-03-15
• 公開（公告）號: CN108376041B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 馬偉杰;楊忠正;陳啟程
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;B32B17/00;B32B9/04;B32B7/12;B32B33/00;G02F1/1333
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種觸控模組，其特征在于，其包括：

玻璃層；

減反層，所述減反層設置在所述玻璃層的第一表面；

第一膜層，所述第一膜層由Nb₂O₅層和SiO₂層疊層而成，所述第一膜層的第一表面為Nb₂O₅層，所述第一膜層的第二表面為SiO₂層，所述第一膜層的第一表面與所述玻璃層的第二表面貼合；

傳感層，所述傳感層的一表面與所述第一膜層的第二表面貼合；

SiOxNy層，所述SiOxNy層設置在所述傳感層的另一表面，所述SiOxNy層的厚度為83-93nm；所述SiOxNy層的折射率為1.5-1.7。

2.根據權利要求1所述的觸控模組，其特征在于，

所述減反層由第一Nb₂O₅層、第一SiO₂層、第二Nb₂O₅層以及第二SiO₂層依次疊層設置；

其中，所述第一Nb₂O₅層設置在所述玻璃層的第一表面。

3.根據權利要求2所述的觸控模組，其特征在于，

所述第一Nb₂O₅層的厚度為8-18nm，所述第一SiO₂層的厚度為26-36nm，所述第二Nb₂O₅層的厚度為105-115nm，所述第二SiO₂層的厚度為80-90nm。

4.根據權利要求3所述的觸控模組，其特征在于，

所述第一Nb₂O₅層的厚度為13nm，所述第一SiO₂層的厚度為31nm，所述第二Nb₂O₅層的厚度為110nm，所述第二SiO₂層的厚度為85nm。

5.根據權利要求1所述的觸控模組，其特征在于，

所述第一膜層的Nb₂O₅層厚度為5-15nm，所述第一膜層的SiO₂層厚度為22-32nm。

6.根據權利要求5所述的觸控模組，其特征在于，

所述第一膜層的Nb₂O₅層厚度為10nm，所述第一膜層的SiO₂層厚度為27nm。

7.根據權利要求1所述的觸控模組，其特征在于，

所述SiOxNy層的厚度為88nm；所述SiOxNy層的折射率為1.65。

8.一種OGS觸控屏，其特征在于，其包括：

液晶顯示模組；

上述權利要求1-7中任一所述觸控模組，所述觸控模組的SiOxNy層通過水膠與所述液晶顯示模組貼合。

9.根據權利要求8所述的OGS觸控屏，其特征在于，

所述水膠的折射率為1.4-1.6。

10.根據權利要求9所述的OGS觸控屏，其特征在于，

所述水膠的折射率為1.5。

11.一種電子設備，其特征在于，其包括：

上述權利要求8-10中任一所述OGS觸控屏。