[發明專利]一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構

有效

• 申請號: 201810210023.3
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN110277369B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 永井享浩
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構，其主要包含：一淺溝隔離設于基底內、一第一選擇柵極設于基底內并設于淺溝隔離的一側、一第二選擇柵極設于該基底內并設于該淺溝隔離的另一側以及一柵極結構設于淺溝隔離、第一選擇柵極以及第二選擇柵極上。

技術領域

本發明涉及一種制作半導體元件的方法，尤其是涉及一種制作動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)元件的熔絲結構的方法。

背景技術

隨著各種電子產品朝小型化發展的趨勢，動態隨機存取存儲器(DRAM)單元的設計也必須符合高集成度及高密度的要求。對于一具備凹入式柵極結構的DRAM單元而言，由于其可以在相同的半導體基底內獲得更長的載流子通道長度，以減少電容結構的漏電情形產生，因此在目前主流發展趨勢下，其已逐漸取代僅具備平面柵極結構的DRAM單元。

一般來說，具備凹入式柵極結構的DRAM單元會包含一晶體管元件與一電荷貯存裝置，以接收來自于位線及字符線的電壓信號。然而，受限于制作工藝技術之故，現有具備凹入式柵極結構的DRAM單元仍存在有許多缺陷，還待進一步改良并有效提升相關存儲器元件的效能及可靠度。

發明內容

本發明一實施例公開一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構，其主要包含：一淺溝隔離設于基底內、第一選擇柵極設于基底內并設于淺溝隔離一側、第二選擇柵極設于該基底內并設于淺溝隔離另一側以及一柵極結構設于淺溝隔離、第一選擇柵極以及第二選擇柵極上。

本發明另一實施例公開一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構，其主要包含：一淺溝隔離設于基底內，第一選擇柵極設于基底內并設于淺溝隔離一側，第二選擇柵極設于基底內并設于淺溝隔離另一側，第一輔助柵極設于基底內并位于淺溝隔離以及第一選擇柵極之間，第二輔助柵極設于基底內并位于淺溝隔離以及第二選擇柵極之間以及一柵極結構設于淺溝隔離、第一輔助柵極以及第二輔助柵極上。

附圖說明

圖1至圖10為本發明一實施例制作動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構的方法示意圖。

主要元件符號說明

12 基底 14 P阱

16 存儲單元區 18 周邊區

20 熔絲區 26 淺溝隔離

28 圖案化光致抗蝕劑 30 離子注入制作工藝

32 摻雜區 34 柵極結構

36 柵極結構 38 輔助柵極

40 選擇柵極 42 阻障層

44 導電層 46 硬掩模

48 介電層 50 半導體層

52 氧化硅層 54 氮化硅層

56 氧化硅層 58 導電層

60 位線接觸 62 金屬層

64 掩模層 66 柵極結構

68 柵極結構 70 柵極結構