[發明專利]一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構有效
| 申請號： | 201810210023.3 | 申請日： | 2018-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN110277369B | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 永井享浩 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 動態 隨機存取存儲器 元件 結構 | ||
1.一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構，其特征在于，包含：
淺溝隔離，設于一基底內；
第一選擇柵極，設于該基底內并設于該淺溝隔離的一側；
第二選擇柵極，設于該基底內并設于該淺溝隔離的另一側；以及
柵極結構，設于該淺溝隔離、該第一選擇柵極以及該第二選擇柵極上。
2.如權利要求1所述的熔絲結構，其中各該第一選擇柵極以及各該第二選擇柵極包含：
阻障層，設于該基底內；以及
導電層，設于該阻障層上。
3.如權利要求2所述的熔絲結構，還包含硬掩模，設于各該第一選擇柵極以及該第二選擇柵極上。
4.如權利要求3所述的熔絲結構，其中該硬掩模上表面切齊該淺溝隔離上表面。
5.如權利要求1所述的熔絲結構，還包含摻雜區，設于該淺溝隔離以及該第一選擇柵極之間。
6.如權利要求5所述的熔絲結構，其中該摻雜區下表面高于該第一選擇柵極上表面。
7.如權利要求5所述的熔絲結構，其中該摻雜區包含N-摻雜區。
8.如權利要求1所述的熔絲結構，另包含間隙壁，環繞該柵極結構并位于該第一選擇柵極以及該第二選擇柵極上。
9.如權利要求1所述的熔絲結構，其中該柵極結構包含：
導電層，設于該基底上；
金屬層，設于該導電層上；以及
硬掩模，設于該金屬層上。
10.如權利要求1所述的熔絲結構，其中該柵極結構另包含：
第一柵極結構，設于部分該淺溝隔離以及該第一選擇柵極上；以及
第二柵極結構，設于部分該淺溝隔離以及該第二選擇柵極上。
11.一種動態隨機存取存儲器元件的熔絲結構，其特征在于，包含：
淺溝隔離，設于一基底內；
第一選擇柵極，設于該基底內并設于該淺溝隔離的一側；
第二選擇柵極，設于該基底內并設于該淺溝隔離的另一側；
第一輔助柵極，設于該基底內并位于該淺溝隔離以及該第一選擇柵極之間；
第二輔助柵極，設于該基底內并位于該淺溝隔離以及該第二選擇柵極之間；以及
柵極結構，設于該淺溝隔離、該第一輔助柵極以及該第二輔助柵極上。
12.如權利要求11所述的熔絲結構，其中各該第一選擇柵極、各該第二選擇柵極、各該第一輔助柵極以及各該第二輔助柵極包含：
阻障層，設于該基底內；以及
導電層，設于該阻障層上。
13.如權利要求12所述的熔絲結構，還包含硬掩模，設于各該第一選擇柵極、各該第二選擇柵極、各該第一輔助柵極以及各該第二輔助柵極上。
14.如權利要求13所述的熔絲結構，其中該硬掩模上表面切齊該淺溝隔離上表面。
15.如權利要求11所述的熔絲結構，還包含摻雜區，設于該淺溝隔離以及該第一輔助柵極之間。
16.如權利要求15所述的熔絲結構，其中該摻雜區下表面高于該第一輔助柵極上表面。
17.如權利要求15所述的熔絲結構，其中該摻雜區包含N-摻雜區。
18.如權利要求11所述的熔絲結構，還包含間隙壁，環繞該柵極結構并位于該第一輔助柵極以及該第二輔助柵極上。
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