[發明專利]陣列基板、圖案化量子點薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201810208365.1 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN110277425B | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 張滔;向超宇;李樂;王雄志 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 圖案 量子 薄膜 制備 方法 | ||
本發明提供了一種用于制備圖案化量子點薄膜的陣列基板,所述陣列基板包括若干陣列單元,所述陣列單元包括相對設置的第一電極和第二電極,設置于所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層和半導體有源層,所述絕緣層和所述半導體有源層層疊設置,且所述絕緣層與所述第一電極相鄰設置,所述半導體有源層與所述第二電極相鄰設置,在所述陣列單元中,所述第二電極的表面用于沉積量子點溶液。
技術領域
本發明屬于量子點顯示技術領域,尤其涉及一種用于制備圖案化量子點薄膜的陣列基板,以及一種圖案化量子點薄膜的制備方法。
背景技術
量子點具有發光顏色易于調節、色彩飽和度高、可溶液加工、高穩定性等諸多優點,被視為下一代顯示技術的有力競爭者。量子點在顯示領域上的應用需要制備圖案化量子點薄膜,目前主要的圖案化量子點層的方式有轉印、噴墨打印等。其中,轉印法仍處于發展階段,且工藝難度大,目前尚未有量產。噴墨打印技術可以精確地按所需量將量子點材料沉積在設定的位置,沉積形成精密像素薄膜,可以有效解決大尺寸彩色顯示屏的制造難題,并降低生產成本。然而,噴墨打印的方法需要利用像素界定層(BANK)限制噴墨區域,由于BANK對墨水的親疏性會影響墨水成膜的均勻性,因此通常還需要對BANK進行改性處理,從而造成工藝復雜、成本增加。此外,墨水需要均勻干燥成膜,然而干燥過程存在多種對流運動,這對墨水成分設計、干燥工藝提出了很高的要求。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于制備圖案化量子點薄膜的陣列基板,旨在解決通過噴墨打印技術制備量子點薄膜時,為了克服BANK對墨水的親疏性影響,需要對BANK進行改性處理,導致制備工藝復雜、成本增加的問題。
本發明的另一目的在于提供一種圖案化量子點薄膜及其制備方法。
為實現上述發明目的,本發明采用的技術方案如下:
本發明一方面提供一種用于制備圖案化量子點薄膜的陣列基板,所述陣列基板包括若干陣列單元,所述陣列單元包括相對設置的第一電極和第二電極,設置于所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層和半導體有源層,所述絕緣層和所述半導體有源層層疊設置,且所述絕緣層與所述第一電極相鄰設置,所述半導體有源層與所述第二電極相鄰設置,在所述陣列單元中,所述第二電極的表面用于沉積量子點溶液。
本發明另一方面提供一種圖案化量子點薄膜的制備方法,包括以下步驟:
提供量子點溶液和陣列基板,所述量子點溶液中的量子點為表面帶有正電荷或負電荷的量子點;所述陣列基板為上述的用于圖案化處理的陣列基板;
根據所述圖案化量子點薄膜的預設圖形,給所述陣列單元施加電壓,使與所述預設圖形對應的陣列單元中,與所述量子點相反的電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面;與預設圖形不對應的陣列單元中,與所述量子點相同的電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面;
在所述陣列基板的第二電極表面沉積所述量子點溶液,干燥處理得到圖案化量子點薄膜。
本發明再一方面提供一種圖案化量子點薄膜,所述圖案化量子點薄膜由上述制備方法制備獲得。
本發明提供的用于圖案化處理的陣列基板,所述陣列基板由若干陣列單元組成。所述陣列單元中,第一電極和第二電極之間設置有層疊結合的絕緣層和半導體有源層,所述絕緣層和所述半導體有源層層疊設置,且所述絕緣層與所述第一電極相鄰設置,所述半導體有源層與所述第二電極相鄰設置。在此結構基礎上,在所述第二電極表面沉積待圖案化處理的帶電荷樣品溶液時,可以通過對陣列基板施加電壓,使半導體有源層的電荷分離;并根據圖案化設計的需要,在不同的陣列單元形成不同的電性,從而通過所述陣列基板與帶電荷樣品之間的靜電吸附或排斥,形成像素陣列即圖案化薄膜。利用所述陣列基板實現帶電荷樣品溶液的圖案化處理,方法簡單,不僅適用于不尺寸制造,而且能夠作為通用陣列基板,實現不同圖案的薄膜制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL科技集團股份有限公司,未經TCL科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810208365.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





