[發明專利]陣列基板、圖案化量子點薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201810208365.1
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN110277425B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 張滔;向超宇;李樂;王雄志
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種用于制備圖案化量子點薄膜的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括若干陣列單元，所述陣列單元包括相對設置的第一電極和第二電極，設置于所述第一電極和所述第二電極之間的絕緣層和半導體有源層，所述絕緣層和所述半導體有源層層疊設置，且所述絕緣層與所述第一電極相鄰設置，所述半導體有源層與所述第二電極相鄰設置，在所述陣列單元中，所述第二電極遠離所述半導體有源層的表面用于沉積量子點溶液，

所述陣列基板用于根據所述圖案化量子點薄膜的預設圖形，給所述陣列單元施加電壓，使與所述預設圖形對應的陣列單元中，與所述量子點相反的電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面；與預設圖形不對應的陣列單元中，與所述量子點相同的電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面。

2.權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括若干相互平行的第一電極條和若干相互平行的第二電極條，且所述第一電極條與所述第二電極條不平行，在所述第一電極與所述第二電極交叉重合區域形成所述陣列單元。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極條的寬度為100-300μm，所述第一電極條之間的間隔為50-100μm；和/或

所述第二電極條的寬度為100-300μm，所述第二電極條之間的間隔為50-100μm。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的厚度為50-200nm；和/或

所述半導體有源層的厚度為100-300nm。

5.如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極的厚度為50-100nm；和/或

所述第二電極的厚度為10-40nm。

6.如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的材料選自二氧化硅、三氧化二鋁、氧化鎂；和/或

所述半導體有源層的材料選自氧化鋅、氧化亞銅、InGaZnO；和/或

所述第一電極的材料選自鋁、銀、鉑；和/或

所述第二電極的材料選自鋁、銀、鉑。

7.一種圖案化量子點薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供量子點溶液和陣列基板，所述量子點溶液中的量子點為表面帶有正電荷或負電荷的量子點；所述陣列基板為權利要求1-6任一項所述的用于圖案化處理的陣列基板；

根據所述圖案化量子點薄膜的預設圖形，給所述陣列單元施加電壓，使與所述預設圖形對應的陣列單元中，與所述量子點相反的電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面；與預設圖形不對應的陣列單元中，與所述量子點相同的電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面；

在所述陣列基板的第二電極表面沉積所述量子點溶液，干燥處理得到圖案化量子點薄膜。

8.如權利要求7所述的圖案化量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點溶液中的量子點為表面帶有正電荷的量子點，在所述陣列基板施加電壓，使所述半導體有源層的正負電荷分離并分別集聚于所述半導體有源層的兩表面，且所述預設圖形對應區域的陣列單元陣列單元中，負電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面；預設圖形之外對應區域的陣列單元中，正電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面。

9.如權利要求7所述的圖案化量子點薄膜的制備方法，其特征在于，所述量子點溶液中的量子點為表面帶有負電荷的量子點，在所述陣列基板施加電壓，使所述半導體有源層的正負電荷分離并分別集聚于所述半導體有源層的兩表面，且所述預設圖形對應區域的陣列單元中，正電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面；預設圖形之外對應區域的陣列單元中，負電荷聚集在所述半導體有源層靠近所述第二電極的表面。

10.一種圖案化量子點薄膜，其特征在于，所述圖案化量子點薄膜由權利要求7-9任一項所述制備方法制備獲得。