[發明專利]包括鈣鈦礦化合物的光電轉換器件、其制造方法以及包括其的成像裝置

有效

• 申請號: 201810208331.2
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN108630816B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 金勇哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

提供包括鈣鈦礦化合物的光電轉換器件、其制造方法以及包括其的成像裝置。所述光電轉換器件包括：第一傳導層；第二傳導層；在所述第一傳導層和所述第二傳導層之間的光電轉換層；在所述光電轉換層和所述第一傳導層之間的電子阻擋層；以及在所述光電轉換層和所述第二傳導層之間的空穴阻擋層，其中所述電子阻擋層包括由式1表示的第一鈣鈦礦化合物，和所述空穴阻擋層包括由式2表示的第二鈣鈦礦化合物，其中A¹、B¹、X¹、Y¹、n、A²、B²、X²、Y²和m如說明書中定義的。式1[A¹][B¹][X¹_(3?n)Y¹_n]式2[A²][B²][X²_(3?m)Y²_m]。

技術領域

本公開內容涉及包括鈣鈦礦化合物的光電轉換器件、其制造方法以及包括其的成像裝置。

背景技術

光電轉換器件是指將光信號轉換為電信號的器件。通常，光電轉換器件利用光電效應例如光電導效應和光伏效應以將光信號轉換為電信號。

例如，這樣的光電轉換器件可用于成像裝置中。所述成像裝置可包括二維地布置在晶體管上的光電轉換器件，并且收集從所述光電轉換器件產生的電信號。

發明內容

提供包括鈣鈦礦化合物的光電轉換器件以及包括其的成像裝置，更特別地在電子阻擋層和空穴阻擋層中包括鈣鈦礦化合物的光電轉換器件以及包括所述光電轉換器件的成像裝置。

另外的方面將部分地在隨后的描述中闡明，并且部分地將從所述描述明晰，或者可通過呈現的實例實施方式的實踐而獲悉。

根據一個實例實施方式的方面，光電轉換器件包括：第一傳導層；第二傳導層；在所述第一傳導層和所述第二傳導層之間的光電轉換層；在所述光電轉換層和所述第一傳導層之間的電子阻擋層；以及在所述光電轉換層和所述第二傳導層之間的空穴阻擋層，其中所述電子阻擋層包括由式1表示的第一鈣鈦礦化合物，和所述空穴阻擋層包括由式2表示的第二鈣鈦礦化合物：

式1

[A¹][B¹][X¹_(3-n)Y¹_n]

其中，在式1中，

A¹為至少一種單價有機陽離子、至少一種單價無機陽離子、或其任意組合，

B¹為至少一種二價無機陽離子，

X¹和Y¹各自獨立地為至少一種單價陰離子，和

n為滿足0≤n≤3的實數，以及

式2

[A²][B²][X²_(3-m)Y²_m]

其中，在式2中，

A²為至少一種單價有機陽離子、至少一種單價無機陽離子、或其任意組合，

B²為至少一種二價無機陽離子，

X²和Y²各自獨立地為至少一種單價陰離子，和

m為滿足0≤m≤3的實數。