[發明專利]包括鈣鈦礦化合物的光電轉換器件、其制造方法以及包括其的成像裝置

有效

• 申請號: 201810208331.2
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN108630816B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 金勇哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.光電轉換器件，包括：

第一傳導層；

第二傳導層；

在所述第一傳導層和所述第二傳導層之間的光電轉換層；

在所述光電轉換層和所述第一傳導層之間的電子阻擋層；以及

在所述光電轉換層和所述第二傳導層之間的空穴阻擋層，

其中所述電子阻擋層包括由式1表示的第一鈣鈦礦化合物，和所述空穴阻擋層包括由式2表示的第二鈣鈦礦化合物：

式1

[A¹][B¹][X¹_(3-n)Y¹_n]

其中，在式1中，

A¹為至少一種單價有機陽離子、至少一種單價無機陽離子、或其任意組合，

B¹為至少一種二價無機陽離子，

X¹和Y¹各自獨立地為至少一種單價陰離子，和

n為滿足0≤n≤3的實數，以及

式2

[A²][B²][X²_(3-m)Y²_m]

其中，在式2中，

A²為至少一種單價有機陽離子、至少一種單價無機陽離子、或其任意組合，

B²為至少一種二價無機陽離子，

X²和Y²各自獨立地為至少一種單價陰離子，和

m為滿足0≤m≤3的實數，

其中所述電子阻擋層進一步包括極性聚合物，

在所述電子阻擋層中所述極性聚合物的量為5重量份至60重量份，相對于100重量份的所述由式1表示的第一鈣鈦礦化合物。

2.如權利要求1所述的光電轉換器件，其中A¹和A²各自獨立地選自(R₁R₂R₃R₄N)⁺、(R₁R₂R₃R₄P)⁺、(R₁R₂R₃R₄As)⁺、(R₁R₂R₃R₄Sb)⁺、(R₁R₂N＝C(R₃)-NR₄R₅)⁺、取代或未取代的環庚三烯Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺、Cs⁺、Fr⁺、及其任意組合；且

R₁-R₅以及取代的環庚三烯的至少一個取代基各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₂₀烷氧基、和-N(Q₁)(Q₂)，以及

Q₁和Q₂各自獨立地選自氫、氘、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、和C₁-C₂₀烷氧基。