[發(fā)明專利]平板探測(cè)器基板及其制備方法、平板探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810201784.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN108417659B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣會(huì)剛;高建劍;肖紅璽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/08
• 分類號(hào): H01L31/08;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種平板探測(cè)器基板及其制備方法、平板探測(cè)器，屬于傳感器制造技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的X射線平板探測(cè)器的陣列基板制備過程中，刻蝕半導(dǎo)體層時(shí)容易對(duì)光電二極管的第一極造成過刻的問題。本發(fā)明的平板探測(cè)器基板的制備方法包括：通過構(gòu)圖工藝在基底上形成，包括光電二極管的第一極的圖形；在所述基底上依次沉積刻蝕阻擋材料層，以及半導(dǎo)體材料層，并通過構(gòu)圖工藝形成，包括刻蝕阻擋層、以及所述光電二極管的半導(dǎo)體層的圖形；其中，所述刻蝕阻擋層的材料包括金屬氧化物。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于傳感器制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種平板探測(cè)器基板及其制備方法、平板探測(cè)器。

背景技術(shù)

X射線平板探測(cè)器包括陣列基板，陣列基板上包括多個(gè)感測(cè)單元，每個(gè)感測(cè)單元包括薄膜晶體管和光電二極管。具體的，以薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管、光電二極管為PIN型光電二極管為例，現(xiàn)有技術(shù)中，X射線平板探測(cè)器的陣列基板的制備工藝主要包括以下步驟：

S01、通過構(gòu)圖(Mask)工藝在襯底基板上依次形成薄膜晶體管的柵極、柵絕緣層、有源層、歐姆接觸層以及源極和漏極；

S02、在完成上述步驟的襯底基板上沉積形成鈍化層，并通過構(gòu)圖工藝形成過孔；

S03、通過構(gòu)圖工藝形成光電二極管的第一極，該第一極通過過孔與薄膜晶體管的漏極連接；

S04、通過構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層(包括N型半導(dǎo)體、I型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體)；

S05、在完成上述步驟的襯底基板上沉積形成層間絕緣層，并通過構(gòu)圖工藝形成過孔；

S06、通過構(gòu)圖工藝形成光電二極管的第二極，該第二極通過層間絕緣層上的過孔與半導(dǎo)體層連接。

其中，由于半導(dǎo)體層非常厚，且半導(dǎo)體層的刻蝕均一性較差，導(dǎo)致在對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕時(shí)，容易造成對(duì)光電二極管的第一極以及鈍化層的過刻，從而導(dǎo)致X射線平板探測(cè)器出現(xiàn)灰度不均，光電二極管的漏電流偏大等問題，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的特性及性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種能夠有效防止在刻蝕半導(dǎo)體材料層時(shí)對(duì)第一極造成過刻的平板探測(cè)器基板的制備方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種平板探測(cè)器基板的制備方法，包括：

通過構(gòu)圖工藝在基底上形成，包括光電二極管的第一極的圖形；

在所述基底上依次沉積刻蝕阻擋材料層，以及半導(dǎo)體材料層，并通過構(gòu)圖工藝形成，包括刻蝕阻擋層、以及所述光電二極管的半導(dǎo)體層的圖形；其中，所述刻蝕阻擋層的材料包括金屬氧化物。

優(yōu)選的，所述平板探測(cè)器基板包括光電二極管區(qū)；形成所述刻蝕阻擋層和所述光電二極管的半導(dǎo)體層的步驟具體包括：

在所述基底上依次沉積刻蝕阻擋材料層，以及半導(dǎo)體材料層；

通過干法刻蝕工藝，去除所述光電二極管區(qū)以外的半導(dǎo)體材料層，以形成所述半導(dǎo)體層；

通過濕法刻蝕工藝，去除裸露的所述刻蝕阻擋材料層，以形成所述刻蝕阻擋層。

優(yōu)選的，所述金屬氧化物包括氧化銦錫和氧化銦鎵鋅中的至少一種。

優(yōu)選的，在所述通過構(gòu)圖工藝在基底上形成，包括光電二極管的第一極的圖形的步驟之前，還包括：

在形成有薄膜晶體管的源極和漏極的基底上形成鈍化層，并在所述鈍化層與所述漏極對(duì)應(yīng)的位置形成第一過孔；

所述光電二極管的第一極通過所述第一過孔與所述漏極連接。

優(yōu)選的，在形成所述光電二極管的第一極的同時(shí)，還形成有薄膜晶體管的源極和漏極；其中，所述漏極與所述光電二極管的第一極一體成型。