[發明專利]平板探測器基板及其制備方法、平板探測器

有效

• 申請號: 201810201784.2
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108417659B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 蔣會剛;高建劍;肖紅璽
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種平板探測器基板的制備方法，其特征在于，包括：

通過構圖工藝在基底上形成，包括光電二極管的第一極的圖形；

在所述基底上依次沉積刻蝕阻擋材料層，以及半導體材料層；

在沉積有半導體材料層的基底上，通過構圖工藝形成包括所述光電二極管的半導體層的圖形；通過構圖工藝形成包括刻蝕阻擋層的圖形；其中，所述刻蝕阻擋層的材料包括金屬氧化物；

在所述通過構圖工藝在基底上形成，包括光電二極管的第一極的圖形的步驟之前，還包括：

在形成有薄膜晶體管的源極和漏極的基底上形成鈍化層，并在所述鈍化層與所述漏極對應的位置形成第一過孔；

所述光電二極管的第一極通過所述第一過孔與所述漏極連接。

2.根據權利要求1所述的平板探測器基板的制備方法，其特征在于，所述平板探測器基板包括光電二極管區；形成所述刻蝕阻擋層和所述光電二極管的半導體層的步驟具體包括：

在所述基底上依次沉積刻蝕阻擋材料層，以及半導體材料層；

通過干法刻蝕工藝，去除所述光電二極管區以外的半導體材料層，以形成所述半導體層；

通過濕法刻蝕工藝，去除裸露的所述刻蝕阻擋材料層，以形成所述刻蝕阻擋層。

3.根據權利要求1所述的平板探測器基板的制備方法，其特征在于，

所述金屬氧化物包括氧化銦錫和氧化銦鎵鋅中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的平板探測器基板的制備方法，其特征在于，在所述通過構圖工藝形成，包括刻蝕阻擋層、以及所述光電二極管的半導體層的圖形的步驟之后，還包括：

在形成有刻蝕阻擋層、以及所述光電二極管的半導體層的基底上形成層間絕緣層，并在所述層間絕緣層與所述半導體層對應的位置形成第二過孔；

通過構圖工藝形成包括光電二極管的第二極的圖形，所述光電二極管的第二極通過所述第二過孔與所述半導體層連接。

5.一種平板探測器基板，其特征在于，包括：

基底；

依次設置于基底上的光電二極管的第一極和半導體層；

所述平板探測器基板還包括設置于所述第一極與所述半導體層之間的刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層在所述基底上的正投影至少覆蓋所述光電二極管的半導體層在所述基底上的正投影；且所述刻蝕阻擋層的材料包括金屬氧化物；所述平板探測器基板還包括：

設置在所述基底上的薄膜晶體管；

設置在所述薄膜晶體管的源極和漏極所在層上方的鈍化層；其中，

在所述鈍化層與所述漏極對應的位置設置有第一過孔；所述光電二極管位于所述鈍化層上方，且所述光電二極管的第一極通過所述第一過孔與所述漏極連接。

6.一種平板探測器，其特征在于，包括權利要求5中所述的平板探測器基板。