[發明專利]硬掩模用組合物

在審

• 申請號: 201810201666.1
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108663905A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 梁敦植;崔漢永
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;鐘海勝

本發明提供一種硬掩模用組合物，其包含含有咔唑單元、聯苯單元、和來源于甲醛或其合成等價物或者下述化學式3所表示的化合物中的至少一種的連接單元的縮聚物、及溶劑。由硬掩模用組合物能夠形成耐蝕刻性、溶解性和平坦性同時提高了的硬掩模。下述化學式3中，R₂為碳原子數6～20的芳香族烴基，R₃和R₄各自獨立地為氫、或碳原子數1～4的烷基。

技術領域

本發明涉及一種硬掩模用組合物。更詳細而言，本發明涉及包含至少一種以上的芳香族化合物的縮聚物的硬掩模用組合物。

背景技術

例如，在半導體制造、微電子等領域中，電路、配線、絕緣圖案之類的結構物的集成度正在持續增大。因此，用于上述結構物的微細圖案化的光刻工序也被一同開發。

一般而言，在蝕刻對象膜上涂布光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑層，通過曝光及顯影工序而形成光致抗蝕劑圖案。接著，將上述光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模，將上述蝕刻對象膜部分地去除，從而可以形成預定的圖案。在進行對于上述蝕刻對象膜的圖像轉印后，上述光致抗蝕劑圖案可以通過灰化(ashing)和/或剝離(strip)工序而被去除。

為了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)層。該情況下，會追加對于上述ARC層的蝕刻，因此上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的消耗量或蝕刻量可能會增加。此外，上述蝕刻對象膜的厚度增加或形成期望的圖案時所需的蝕刻量增加的情況下，可能無法確保所要求的上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的充分的耐蝕刻性。

因此，為了確保用于形成期望的圖案的光致抗蝕劑的耐蝕刻性和蝕刻選擇比，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間追加抗蝕劑下部膜。

上述抗蝕劑下部膜優選具有例如對于高溫蝕刻工序的充分的耐蝕刻性、耐熱性，并且滿足用于通過例如旋涂工序以均勻的厚度形成的特性。

韓國公開專利第10-2010-0082844號公開了抗蝕劑下部膜形成組合物的一例。

現有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利第10-2010-0082844號

發明內容

所要解決的課題

本發明的一課題在于，提供能夠形成具有優異的機械、化學特性且具有均勻的輪廓的硬掩模的硬掩模用組合物。

解決課題的方法

1.一種硬掩模用組合物，其包含：含有咔唑單元、聯苯單元、和來源于甲醛或其合成等價物或者下述化學式3所表示的化合物中的至少一種的連接單元的縮聚物；及溶劑，

[化學式3]

(化學式3中，R₂為碳原子數6～20的芳香族烴基，R₃和R₄各自獨立地為氫、或碳原子數1～4的烷基)。

2.如1所述的硬掩模用組合物，上述咔唑單元由下述化學式1表示：

[化學式1]

(化學式1中，R₁為氫、碳原子數1～10的烷基、碳原子數2～10的烯基、或碳原子數6～30的芳基(Aryl))。

3.如2所述的硬掩模用組合物，R₁為乙基、乙烯基或苯基。

4.如1所述的硬掩模用組合物，上述聯苯單元來源于羥基聯苯或二羥基聯苯。