[發明專利]薄膜晶體管的制作方法、顯示基板的制作方法及顯示器件

有效

• 申請號: 201810200180.6
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108336024B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 王承賢;楊靜
• 申請（專利權）人: 綿陽京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;蔡麗

本發明涉及顯示領域，特別涉及一種薄膜晶體管的制作方法、顯示基板的制作方法及顯示器件。所述薄膜晶體管的制作方法，包括形成有源層的步驟和形成覆蓋所述有源層的絕緣層的步驟，還包括：在對所述絕緣層進行構圖形成暴露出所述有源層的過孔之后，利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理，去除所述有源層表面的有機雜質和/或氧化物。所述薄膜晶體管的制作方法采用干法處理有源層表面的有機雜質，避免藥液污染，提高產品性能的穩定性。對于以金屬氧化物為有源層的薄膜晶體管，還可以避免對金屬氧化物的損傷，在較小的均一性變異下完成產品的管控。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別涉及一種薄膜晶體管的制作方法、顯示基板的制作方法及顯示器件。

背景技術

OLED顯示面板具有基于有機發光二極管的像素陣列。每個像素包括有機發光二極管和用于控制向有機發光二極管施加信號的薄膜晶體管。

薄膜晶體管的制備過程一般是：按照順序依次沉積不同的膜層，如柵極、柵絕緣層、有源層、源極及漏極等。源極和漏極與有源層相接觸。當有源層上覆蓋有絕緣層時，源漏極則通過過孔與有源層接觸。形成過孔后，為了避免過孔暴露的有源層表面存在雜質，影響源漏極與有源層的接觸，通常采用化學藥液清洗有源層表面，去除有源層表面的氧化物及有機雜質。

化學藥液清洗有源層表面時，化學藥液濃度變化以及污染均可能導致薄膜晶體管的性能變化；而且化學藥液容易對金屬氧化物有源層造成損傷，導致薄膜晶體管驅動的失效或者不穩定。

發明內容

本發明要解決的技術問題一種薄膜晶體管的制作方法、顯示基板的制作方法及顯示器件，所述薄膜晶體管的制作方法采用干法處理有源層表面的有機雜質，避免藥液污染，提高產品性能的穩定性。對于以金屬氧化物為有源層的薄膜晶體管，還可以避免對金屬氧化物的損傷，在較小的均一性變異下完成產品的管控。

本發明公開了一種薄膜晶體管的制作方法，包括形成有源層的步驟和形成覆蓋所述有源層的絕緣層的步驟，所述制作方法還包括：

在對所述絕緣層進行構圖形成暴露出所述有源層的過孔之后，利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理，去除所述有源層表面的有機雜質和/或氧化物。

優選地，所述薄膜晶體管包括低溫多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，所述有源層包括所述低溫多晶硅有源層和金屬氧化物有源層。

優選地，利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理的步驟包括：

利用預設氣體對有源層的表面進行等離子轟擊，去除有源層表面的有機雜質和/或氧化物；

利用含有氫原子的氣體對等離子轟擊后的有源層表面進行等離子體修復。

優選地，所述預設氣體為氮氣、氬氣或者氦氣。

優選地，所述進行等離子轟擊時的功率在1～10kw，壓力為10～1000Torr。

優選地，所述利用含有氫原子的氣體對等離子轟擊后的有源層表面進行等離子體修復時的功率小于3kw，壓力為1～10Torr。

優選地，所述含有氫原子的氣體為氫氣或者氨氣。

優選地，在形成過孔后4小時內利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理。

優選地，在利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理后1小時內進行源漏金屬層的沉積。

優選地，在對所述絕緣層進行構圖形成暴露出所述有源層的過孔之后，所述制作方法還包括：對形成有所述有源層的襯底基板進行預熱并去除水汽。

本發明公開了一種顯示基板的制作方法，采用上述技術方案所述方法制作顯示基板的薄膜晶體管。

本發明公開了一種薄膜晶體管，采用上述技術方案所述方法制作得到。