[發明專利]薄膜晶體管的制作方法、顯示基板的制作方法及顯示器件

有效

• 申請號: 201810200180.6
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108336024B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 王承賢;楊靜
• 申請（專利權）人: 綿陽京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;蔡麗

1.一種薄膜晶體管的制作方法，包括形成有源層的步驟和形成覆蓋所述有源層的絕緣層的步驟，其特征在于，所述制作方法還包括：

在對所述絕緣層進行構圖形成暴露出所述有源層的過孔之后，利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理，去除所述有源層表面的有機雜質和/或氧化物；

利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理的步驟包括：

利用預設氣體對有源層的表面進行等離子轟擊，去除有源層表面的有機雜質和/或氧化物；

利用含有氫原子的氣體對等離子轟擊后的有源層表面進行等離子體修復。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管包括低溫多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，所述有源層包括低溫多晶硅有源層和金屬氧化物有源層。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述預設氣體為氮氣、氬氣或者氦氣。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述進行等離子轟擊時的功率在1～10kw，壓力為10～1000Torr。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述利用含有氫原子的氣體對等離子轟擊的有源層表面進行等離子體修復時的功率小于3kw，壓力為1～10Torr。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述含有氫原子的氣體為氫氣或者氨氣。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成過孔后4小時內利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在利用等離子體對所述有源層暴露出的表面進行處理后1小時內進行源漏金屬層的沉積。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在對所述絕緣層進行構圖形成暴露出所述有源層的過孔之后，所述制作方法還包括：對形成有所述有源層的襯底基板進行預熱。

10.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，采用權利要求1～9任意一項方法制作顯示基板的薄膜晶體管。

11.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用權利要求1～9任意一項所述方法制作得到。

12.一種顯示器件，其特征在于，包括位于襯底基板上的權利要求11所述的薄膜晶體管。