[發明專利]一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構

在審

• 申請號: 201810198997.4
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108447935A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 高超;周浪;黃海賓;袁吉仁;岳之浩
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0216
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是以n型晶體硅片（6）作為基底，其發射極面分為發射極-導電區域和鈍化-進光區域：發射極-導電區域由基底向外依次由本征非晶硅鈍化層（3）、重摻雜p型非晶硅層（2）、金屬柵線I（1）構成，鈍化-進光區域由基底向外依次由TiO₂鈍化層I（5）、鈍化減反射層I（4）構成，這兩個區域交叉分布且不重疊；

其背電場面分為鈍化-進光區域和背電場-導電區域：鈍化-進光區域由基底向外依次為重摻雜n型晶體硅層II（7）、鈍化減反射層II（8）；背電場-導電區域由基底向外依次為重摻雜n型晶體硅層II（7）、金屬柵線II（9），這兩個區域交叉分布且不重疊。

2.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的發射極面的金屬柵線I（1）與重摻雜p型非晶硅層（2）之間插入一過渡TCO層。

3.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層I（4）、鈍化減反射層II（8）為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的發射極與TiO₂鈍化層I（5）之間進行絕緣處理。

5.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的TiO₂鈍化層I（5）的厚度為1-300nm。

6.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的n型晶體硅片（6）為雙面制絨。

7.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的n型晶體硅片（6）一面采用小尺寸金字塔結構的絨面，另外一面采用大尺寸金字塔絨面或者無金字塔的拋光結構。

8.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的金屬柵線I、金屬柵線II區域為拋光或做大尺寸金字塔的絨面。

9.根據權利要求1所述的一種鈍化進光層的局域發射極晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的金屬柵線I、金屬柵線II總覆蓋面積比例為1~3%。