[發(fā)明專利]一種陣列基板的制造方法和陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810196074.5
• 申請(qǐng)日: 2018-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108447821B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卓恩宗;莫瓊花
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板的制造方法和陣列基板，該制造方法包括：提供一基板；在基板上形成柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層和源漏電極層和光刻膠層；對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的光刻膠層，圖案化的光刻膠層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，以及位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，第三區(qū)域的厚度的取值范圍為0.2～0.8微米；利用圖案化的光刻膠層掩膜，對(duì)源漏電極層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化處理，以在第一區(qū)域覆蓋的部分形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)的源極，在第二區(qū)域覆蓋的部分形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏極，在第三區(qū)域覆蓋的部分形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)的溝道區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例提供的制造方法，通過(guò)控制光刻膠層各部分的厚度，降低了主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏電流，提高了主動(dòng)開(kāi)關(guān)的電性能穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及主動(dòng)開(kāi)關(guān)技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板的制造方法和陣列基板。

背景技術(shù)

主動(dòng)開(kāi)關(guān)是顯示面板的關(guān)鍵器件，對(duì)顯示面板的工作性能具有十分重要的作用，而隨著電子設(shè)備的快速發(fā)展，人們要求電子設(shè)備的功耗越低越好，續(xù)航能力越高越好，因此也要求電子設(shè)備中的顯示面板的低功耗。

顯示面板中設(shè)置有主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板，然而現(xiàn)有主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏電流相對(duì)較大，當(dāng)光線照射到主動(dòng)開(kāi)關(guān)上時(shí)還會(huì)產(chǎn)生光生載流子，進(jìn)一步增大主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏電流，導(dǎo)致顯示面板的功耗較大，還導(dǎo)致主動(dòng)開(kāi)關(guān)的穩(wěn)定性能差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制造方法和陣列基板，以降低陣列基板上主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏電流以及提高主動(dòng)開(kāi)關(guān)的穩(wěn)定性。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括多個(gè)主動(dòng)開(kāi)關(guān)，該陣列基板的制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層和光刻膠層；

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖案化，以形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，以及位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域的厚度的取值范圍為0.2～0.8微米；

利用所述圖案化后的光刻膠層為掩膜版，對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行圖形化處理，在所述第一區(qū)域覆蓋的部分形成所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的源極，在所述第二區(qū)域覆蓋的部分形成所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的漏極，對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化處理，在所述第三區(qū)域覆蓋的部分形成所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的溝道區(qū)。

進(jìn)一步地，所述對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖案化采用半色調(diào)掩膜工藝，且對(duì)應(yīng)曝光所述第三區(qū)域所需的光照能量取值范圍為37～48毫焦耳。

進(jìn)一步地，對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行圖形化處理包括對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行至少一次濕法刻蝕；對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化處理包括對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行至少一次干法刻蝕。

進(jìn)一步地，所述制造方法包括兩次干法刻蝕和兩次濕法刻蝕，且所述干法刻蝕和所述濕法刻蝕交替進(jìn)行。

進(jìn)一步地，所述制造方法還包括執(zhí)行至少一次光刻膠灰化步驟，所述光刻膠灰化步驟設(shè)置于所述濕法刻蝕與所述干法刻蝕步驟之間。

進(jìn)一步地，所述光刻膠灰化步驟中橫向刻蝕速率與縱向刻蝕速率的比值的取值范圍為1:0.9～1:1.5。

進(jìn)一步地，所述光刻膠灰化步驟中，刻蝕氣體包括六氟化硫和氧氣。

進(jìn)一步地，六氟化硫的流量取值范圍為200～800sccm；氧氣的流量取值范圍為8000～10000sccm。

進(jìn)一步地，所述橫向刻蝕速率與縱向刻蝕速率的比值為1:0.9時(shí)，所述刻蝕氣體為氧氣；所述橫向刻蝕速率與縱向刻蝕速率的比值為1:1.5時(shí)，所述刻蝕氣體為六氟化硫和氧氣，且六氟化硫與氧氣的流量比的取值范圍為0.02～0.1。

進(jìn)一步地，所述光刻膠層的保留厚度的取值范圍為0.4～0.8微米時(shí)，所述光刻膠層的保留厚度每減少0.1微米，所需曝光能量為1.5毫焦耳。