[發明專利]一種陣列基板的制造方法和陣列基板

有效

• 申請號: 201810196074.5
• 申請日: 2018-03-09
• 公開（公告）號: CN108447821B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 卓恩宗;莫瓊花
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板包括多個主動開關，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成柵極、柵極絕緣層、半導體層和源漏電極層和光刻膠層；

對所述光刻膠層進行圖案化，以形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層包括第一區域和第二區域，以及位于所述第一區域和所述第二區域之間的第三區域，所述第三區域的厚度的取值范圍為0.2～0.8微米；所述光刻膠層的第三區域保留厚度均一性的取值范圍為25％～55％；

利用所述圖案化后的光刻膠層為掩膜版，對所述源漏電極層進行圖形化處理，在所述第一區域覆蓋的部分形成所述主動開關的源極，在所述第二區域覆蓋的部分形成所述主動開關的漏極，對所述半導體層進行圖形化處理，在所述第三區域覆蓋的部分形成所述主動開關的溝道區；

其中，對所述源漏電極層進行圖形化處理包括兩次濕法刻蝕，所述對半導體層進行圖形化處理包括兩次干法刻蝕，所述濕法刻蝕和所述干法刻蝕交替進行。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述對光刻膠層進行圖案化采用半色調掩膜工藝，且對應曝光所述第三區域所需的光照能量取值范圍為37～48毫焦耳。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括執行至少一次光刻膠灰化步驟，所述光刻膠灰化步驟設置于所述濕法刻蝕與所述干法刻蝕步驟之間。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述光刻膠灰化步驟中橫向刻蝕速率與縱向刻蝕速率的比值的取值范圍為1:0.9～1:1.5。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述光刻膠灰化步驟中，刻蝕氣體包括六氟化硫和氧氣。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，六氟化硫的流量取值范圍為200～800sccm；氧氣的流量取值范圍為8000～10000sccm。

7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板包括多個主動開關，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成柵極、柵極絕緣層、半導體層、源漏電極層和光刻膠層；

對所述光刻膠層進行圖案化，以形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層包括第一區域和第二區域，以及位于所述第一區域和所述第二區域之間的第三區域，所述第三區域的厚度的取值范圍為0.2～0.8微米；所述光刻膠層的第三區域保留厚度均一性的取值范圍為25％～55％；

利用所述圖案化的光刻膠層掩膜，對所述源漏電極層進行圖形化處理，在所述第一區域覆蓋的部分形成所述主動開關的源極，在所述第二區域覆蓋的部分形成所述主動開關的漏極，對所述半導體層進行圖形化處理，在所述第三區域覆蓋的部分形成所述主動開關的溝道區；

其中，所述對所述源漏電極層進行圖形化處理包括兩次濕法刻蝕；所述對所述半導體層進行圖形化處理包括兩次干法刻蝕；所述濕法刻蝕和所述干法刻蝕交替進行；其中，還包括執行至少一次光刻膠灰化步驟；

所述光刻膠灰化步驟中，橫向刻蝕速率與縱向刻蝕速率的比值的取值范圍為1:0.9～1:1.5，刻蝕氣體包括六氟化硫和氧氣；

所述橫向刻蝕速率與縱向刻蝕速率的比值為1:1.5時，六氟化硫與氧氣的流量比的取值范圍為0.02～0.1。