[發明專利]陶瓷加熱器

在審

• 申請號: 201810193960.2
• 申請日: 2018-03-09
• 公開（公告）號: CN108695229A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 鄭哲鎬;崔晉榮;李柱聲
• 申請（專利權）人: 美科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H05B3/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

陶瓷加熱器可以包括：主體，其為陶瓷主體，具有為了舉升銷的升降而上下貫通的多個銷孔；發熱構件，其配備于所述主體的內部，借助于從外部接入的電源而發生熱，用于加熱所述晶片；及多個熱傳遞構件，其在所述主體的上部面，沿著所述銷孔配備部位的四周配備，用于使所述發熱構件發生的熱傳導到所述晶片，以便所述晶片被均一加熱。

技術領域

本發明涉及陶瓷加熱器，更詳細而言，涉及一種用于在半導體制造工序中加熱晶片的陶瓷加熱器。

背景技術

一般而言，半導體元件可以在晶片上通過沉積工序及照片蝕刻工序等而形成電路圖案，對所述電路圖案進行個別化而獲得多個半導體芯片后，通過對所述半導體芯片進行封裝而制造。

所述沉積工序作為在所述晶片上形成絕緣膜、導電膜等多樣膜的工序，根據需要，可以執行物理氣相沉積、化學氣相沉積、等離子體強化化學氣相沉積等工序。

特別是等離子體強化化學氣相沉積工序，將所述晶片加熱到工序溫度，利用形成為等離子體狀態的源氣體和反應氣體，可以在所述晶片上形成希望的膜。用于執行所述等離子體強化化學氣相沉積工序的裝置可以使用等離子體源和陶瓷加熱器，所述等離子體源用于將供應到工序腔室內部的源氣體和反應氣體形成為等離子體狀態，所述陶瓷加熱器用于支撐所述晶片并加熱到工序溫度。

在所述陶瓷加熱器中具備用于將所述晶片加熱到工序溫度的發熱構件、用于將所述源氣體和反應氣體形成為等離子體狀態的電極構件。另外，在所述陶瓷加熱器中具備為了舉升銷的升降而上下貫通的多個銷孔。此時，所述發熱構件及所述電極構件與所述銷孔隔開配置。

所述發熱構件與所述銷孔隔開配置，所述銷孔具有截面積在所述陶瓷加熱器的上端部位增加的結構，因而所述發熱構件發生的熱無法均一傳遞到被所述陶瓷加熱器支撐的晶片。即，在所述晶片中，位于所述銷孔上方的部位的溫度會與其余部位的溫度存在差異。因此，所述晶片的溫度分布會不均一。

在所述晶片溫度不均一的狀態下，當針對所述晶片執行沉積工序時，在所述晶片中，在位于所述銷孔上方的部位形成的膜的厚度相對較薄，膜無法在所述晶片上均一地形成。因此，會對所述晶片的品質產生不良影響。

發明內容

本發明提供一種能夠均一地加熱晶片的陶瓷加熱器。

本發明的陶瓷加熱器可以包括：主體，其為陶瓷主體，具有為了舉升銷的升降而上下貫通的多個銷孔；發熱構件，其配備于所述主體的內部，借助于從外部接入的電源而發生熱，用于加熱所述晶片；及多個熱傳遞構件，其在所述主體的上部面，沿著所述銷孔配備部位的四周配備，用于使所述發熱構件發生的熱傳導到所述晶片，以便所述晶片被均一加熱。

根據本發明的一個實施例，所述多個熱傳遞構件可以由與所述主體相同的材質構成，或由具有高于所述主體的熱傳遞率的材質構成。

根據本發明的一個實施例，所述多個熱傳遞構件可以沿著所述各銷孔的四周，以環形態配備。

根據本發明的一個實施例，所述多個熱傳遞構件可以沿著所述各銷孔的四周，相互隔開地配備多個。

根據本發明的一個實施例，所述多個熱傳遞構件可以與所述各銷孔貼緊或從所述各銷孔隔開配置。

根據本發明的一個實施例，所述多個熱傳遞構件與所述各銷孔之間的隔開間隔可以為0至20㎜。

根據本發明的一個實施例，沿著一個銷孔四周配備的熱傳遞構件的上部面面積可以為13mm²至1900mm²。

根據本發明的一個實施例，所述陶瓷加熱器可以還包括多個支撐構件，其在所述主體的上部面相互隔開配備，用于支撐晶片。

根據本發明的一個實施例，所述多個熱傳遞構件可以具有與所述支撐構件相同的高度。