[發明專利]陶瓷加熱器在審
| 申請號: | 201810193960.2 | 申請日: | 2018-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN108695229A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 鄭哲鎬;崔晉榮;李柱聲 | 申請(專利權)人: | 美科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;H05B3/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 孫昌浩;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 陶瓷加熱器 發熱構件 銷孔 配備 加熱 熱傳遞構件 上下貫通 陶瓷主體 熱傳導 上部面 舉升 均一 升降 電源 外部 | ||
1.一種陶瓷加熱器,其中,包括:
主體,其為陶瓷主體,具有為了舉升銷的升降而上下貫通的多個銷孔;
發熱構件,其配備于所述主體的內部,借助于從外部接入的電源而發生熱,用于加熱所述晶片;及
多個熱傳遞構件,其在所述主體的上部面,沿著所述銷孔配備部位的四周配備,用于使所述發熱構件發生的熱傳導到所述晶片,以便所述晶片被均一加熱。
3.根據權利要求1所述的陶瓷加熱器,其中,
所述多個熱傳遞構件沿著所述各銷孔的四周,以環形態配備。
4.根據權利要求1所述的陶瓷加熱器,其中,
所述多個熱傳遞構件沿著所述各銷孔的四周,相互隔開地配備多個。
5.根據權利要求1所述的陶瓷加熱器,其中,
所述多個熱傳遞構件與所述各銷孔貼緊或從所述各銷孔隔開配置。
6.根據權利要求5所述的陶瓷加熱器,其中,
所述多個熱傳遞構件與所述各銷孔之間的隔開間隔為0至20㎜。
7.根據權利要求1所述的陶瓷加熱器,其中,
沿著一個銷孔四周配備的熱傳遞構件的上部面面積為13mm2至1900mm2。
8.根據權利要求1所述的陶瓷加熱器,其中,
還包括多個支撐構件,其在所述主體的上部面相互隔開配備,用于支撐晶片。
9.根據權利要求8所述的陶瓷加熱器,其中,
所述多個熱傳遞構件具有與所述支撐構件相同的高度。
10.根據權利要求9所述的陶瓷加熱器,其中,
所述多個熱傳遞構件的高度為5μm至40μm。
11.根據權利要求1所述的陶瓷加熱器,其中,
還包括電極構件,其配置于所述主體的內部,與外部的接地構件電氣連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





