[發(fā)明專利]自加熱制品/材料的制造方法及制造設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810192667.4 | 申請日: | 2018-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN108251820A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張國禎 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫博碩珈睿科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/02;C23C16/46;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 趙俊宏 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自加熱 基底 復合導電薄膜 制造設備 方法和設備 化學鍵結(jié)合 導電薄膜 烘干裝置 納米導線 批量制備 鋪設裝置 汽車玻璃 設備結(jié)構(gòu) 生產(chǎn)技術 生產(chǎn)效率 移送裝置 產(chǎn)業(yè)化 電極 沉積 加熱 制造 復合 金屬 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中導電薄膜由于生產(chǎn)技術還沒有達到商業(yè)化產(chǎn)業(yè)化的水平,不能進行批量生產(chǎn)的不足,提供一種能批量制備自加熱制品/材料的方法和設備,這種設備包括基底移送裝置、納米導線鋪設裝置、烘干裝置和ALD沉積裝置,采用本發(fā)明的自加熱制品/材料的制造方法及制造設備,加入電極后可以由復合導電薄膜對基底直接進行加熱,無需再將復合導電薄膜與基底復合,因此生產(chǎn)效率高,且由于ALD的隨型性,因此可以沉積在任何形狀的基底上,可以制得任意形狀的自加熱汽車玻璃自加熱的板材或金屬復材料,且整個設備結(jié)構(gòu)簡單,可以大批量生產(chǎn)自加熱制器/材料,基底和復合導電薄膜間為化學鍵結(jié)合,結(jié)合緊密,不易脫落,因此壽命長。
技術領域
本發(fā)明涉及自加熱制品或材料的制備方法及制造設備。
背景技術
目前導電薄膜材料在汽車領域得到比較高的重視,由于一些導電薄膜具有可透光性,被用于汽車擋風玻璃的加熱以去除擋風玻璃表面的霧氣,還越來越多地應用在如眼鏡、手表等可穿戴設備上面用于去除眼鏡表面和手表蓋表面的霧氣,但由于加工技術的限制,這些產(chǎn)品的商用化沒有得到實質(zhì)進展,還沒有形成商業(yè)化的生產(chǎn)設備和生產(chǎn)方法,使導電薄膜的應用受到了限制,現(xiàn)在需要提供一種能將這些導電薄膜制備在所應用的如玻璃等的基底上的方法和設備,得到能自加熱的制品或材料直接用于汽車玻璃等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是,針對現(xiàn)有技術導電薄膜由于生產(chǎn)技術還沒有達到商業(yè)化產(chǎn)業(yè)化的水平,提供一種能批量制備自加熱制品/材料的方法和設備。
本發(fā)明的目的是通過下述技術方案實現(xiàn)的:
自加熱制品/材料的制造設備,包括基底移送裝置、納米導線鋪設裝置、烘干裝置和ALD沉積裝置,納米導線鋪設裝置包括納米導線分散液出液裝置和納米導線分散液分散器,烘干裝置包括烘干器,由烘干器去除基底上的納米導線分散液的液體, ALD沉積裝置包括沉積腔和噴頭,噴頭設置在沉積腔內(nèi),基底在沉積腔內(nèi)由噴頭進行沉積,由基底移送裝置按照設定的工藝將基底傳送給納米導線鋪設裝置、烘干裝置、原子層沉積裝置;納米導線分散液出液裝置為溶液滴液器,所述溶液滴液器包括滴液頭,滴液頭上設置有容腔和出液孔,滴液頭位于基底上方;還包括納米導線焊接器,所述納米導線焊接器為光照射器;光照射器由紫外燈管陣列及紫外燈管陳列固定裝置組成;基底移送裝置為帶傳送裝置,所述納米導線分散液出液裝置、納米導線分散液分散器、烘干器、沉積腔和噴頭均設置在傳送帶上方;基底移送裝置為收卷放卷裝置,收卷放卷裝置包括放卷軸和收卷軸,收卷軸和放卷軸至少一個為主動軸,柔性基底成卷設置在放卷軸上,頭端連接收卷軸,在收卷軸和放卷軸間設置有張力輥;納米導線分散液出液裝置、納米導線分散液分散器、沉積腔和噴頭沿柔性基底的傳送方向設置、位于收卷軸和放卷軸間、位于基底上方;沉積裝置設置在納米導線鋪設裝置前或設置在烘干裝置之后;納米導線分散溶液為螺旋輥,在螺旋輥的表面沿軸的長度方向設置螺旋凹槽。
自加熱制品/材料的制造方法,包括在基底上原子層沉積底層導電薄膜——在底層導電薄膜上鋪設網(wǎng)格狀納米導線層——去除納米導線層中的液體——再通過原子層沉積的方法在納米導線上沉積頂層導電薄膜;去除納米導線層中的液體后去除包覆于納米導線表面的有機物、將交錯的納米導線焊接連接成網(wǎng)狀一體式結(jié)構(gòu),所述的底層通過ALD沉積方式生長在襯底上;在去除納米導線層中的液體后通過紫外光照射的方法去除包覆于納米導線表面的有機物并將納米導線焊接連接,而后再在納米導線層上沉積頂層導電薄膜;當基底的沉積表面為曲面或不規(guī)則曲面時,先在柔性平面基底上原子層沉積底層導電薄膜再制得復合導電蔳膜,通過熱壓的方式將復合導電薄膜熱壓在基底表面;基底為剛性基底。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





