[發(fā)明專利]自加熱制品/材料的制造方法及制造設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810192667.4
• 申請(qǐng)日: 2018-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108251820A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國(guó)禎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫博碩珈睿科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/02;C23C16/46;C23C16/458
• 代理公司: 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316
• 代理人: 趙俊宏

1.自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于，包括基底移送裝置(1)、納米導(dǎo)線鋪設(shè)裝置(2)、烘干裝置(3)和ALD沉積裝置(4)，納米導(dǎo)線鋪設(shè)裝置包括納米導(dǎo)線分散液出液裝置(201)和納米導(dǎo)線分散液分散器(202)，烘干裝置包括烘干器，由烘干器去除基底上的納米導(dǎo)線分散液的液體， ALD沉積裝置包括沉積腔和噴頭，噴頭設(shè)置在沉積腔內(nèi)，基底在沉積腔內(nèi)由噴頭進(jìn)行沉積，由基底移送裝置按照設(shè)定的工藝將基底傳送給納米導(dǎo)線鋪設(shè)裝置、烘干裝置、原子層沉積裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的一種自加熱制品/材料的制造設(shè)備，所述納米導(dǎo)線分散液出液裝置為溶液滴液器，所述溶液滴液器包括滴液頭，滴液頭上設(shè)置有容腔和出液孔，滴液頭位于基底上方。

3.如權(quán)利要求1所述的自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于：還包括納米導(dǎo)線焊接器，所述納米導(dǎo)線焊接器為光照射器。

4.如權(quán)利要求3所述的自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于：所述的光照射器由紫外燈管陣列及紫外燈管陳列固定裝置組成。

5.如權(quán)利要求1-4各項(xiàng)之一所述的自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于：所述基底移送裝置為帶傳送裝置，所述納米導(dǎo)線分散液出液裝置、納米導(dǎo)線分散液分散器、烘干器、沉積腔和噴頭均設(shè)置在傳送帶上方。

6.如權(quán)利要求1-4各項(xiàng)之一所述的自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于，所述基底移送裝置為收卷放卷裝置，收卷放卷裝置包括放卷軸和收卷軸，收卷軸和放卷軸至少一個(gè)為主動(dòng)軸，柔性基底成卷設(shè)置在放卷軸上，頭端連接收卷軸，在收卷軸和放卷軸間設(shè)置有張力輥；納米導(dǎo)線分散液出液裝置、納米導(dǎo)線分散液分散器、沉積腔和噴頭沿柔性基底的傳送方向設(shè)置、位于收卷軸和放卷軸間、位于基底上方。

7.如權(quán)利要求1所述的自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于，所述沉積裝置設(shè)置在納米導(dǎo)線鋪設(shè)裝置前或設(shè)置在烘干裝置之后。

8.如權(quán)利要求1所述的自加熱制品/材料的制造設(shè)備，其特征在于，所述納米導(dǎo)線分散溶液為螺旋輥，在螺旋輥的表面沿軸的長(zhǎng)度方向設(shè)置螺旋凹槽。

9.自加熱制品/材料的制造方法，其特征在于，包括在基底上原子層沉積底層導(dǎo)電薄膜——在底層導(dǎo)電薄膜上鋪設(shè)網(wǎng)格狀納米導(dǎo)線層——去除納米導(dǎo)線層中的液體——再通過(guò)原子層沉積的方法在納米導(dǎo)線上沉積頂層導(dǎo)電薄膜。

10.如權(quán)利要求9所述的自加熱制品/材料的制造方法，其特征在于，去除納米導(dǎo)線層中的液體后去除包覆于納米導(dǎo)線表面的有機(jī)物、將交錯(cuò)的納米導(dǎo)線焊接連接成網(wǎng)狀一體式結(jié)構(gòu)，所述的底層通過(guò)ALD沉積方式生長(zhǎng)在襯底上。

11.如權(quán)利要求10所述的自加熱制品/材料的制造方法，其特征在于，在去除納米導(dǎo)線層中的液體后通過(guò)紫外光照射的方法去除包覆于納米導(dǎo)線表面的有機(jī)物并將納米導(dǎo)線焊接連接，而后再在納米導(dǎo)線層上沉積頂層導(dǎo)電薄膜。

12.如權(quán)利要求9所述的自加熱制品/材料的制造方法，其特征在于，當(dāng)基底的沉積表面為曲面或不規(guī)則曲面時(shí)，先在柔性平面基底上原子層沉積底層導(dǎo)電薄膜再制得復(fù)合導(dǎo)電蔳膜，通過(guò)熱壓的方式將復(fù)合導(dǎo)電薄膜熱壓在基底表面。

13.如權(quán)利要求12所述的自加熱制品/材料的制造方法，其特征在于，所述基底為剛性基底。