[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810190735.3 | 申請日: | 2018-03-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108417690B | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李春亞;王毅斌;胡雅萌;殷錄橋;張建華 | 申請(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L23/10 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 王戈 |
| 地址: | 201900*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 玻璃蓋板 發(fā)光二極管 陶瓷基板 發(fā)光二極管芯片 玻璃漿料層 電路結(jié)構(gòu)層 表面處 釉料層 熔接 陶瓷基板表面 封裝氣密性 工藝復(fù)雜性 形狀匹配 玻璃漿 平滑 制作 | ||
1.一種發(fā)光二極管,其特征在于,所述發(fā)光二極管包括:玻璃蓋板、陶瓷基板、發(fā)光二極管芯片和電路結(jié)構(gòu)層;其中,
所述陶瓷基板開設(shè)有凹槽,所述玻璃蓋板的形狀與所述凹槽的形狀匹配,且所述玻璃蓋板蓋設(shè)在所述凹槽上;
在所述陶瓷基板的與所述玻璃蓋板接觸的表面處設(shè)置有釉料層;在所述玻璃蓋板的與所述凹槽接觸的表面處設(shè)置有玻璃漿料層,所述玻璃漿料層用于將所述玻璃蓋板與所述陶瓷基板熔接在一起;
所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述凹槽內(nèi),且所述發(fā)光二極管芯片與所述電路結(jié)構(gòu)層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述電路結(jié)構(gòu)層具體包括:電路層、導(dǎo)電片和鍵合線;其中,
所述導(dǎo)電片設(shè)置在所述陶瓷基板上,所述電路層設(shè)置在所述凹槽的底部,所述電路層通過所述鍵合線與所述發(fā)光二極管芯片連接,所述導(dǎo)電片與所述電路層連接,且所述導(dǎo)電片用于與所述發(fā)光二極管的外部電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述玻璃蓋板的材質(zhì)為石英玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述石英玻璃的折射率的范圍是1.45-1.55。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述玻璃漿料層的成分包括:玻璃粉、二氧化硅粉末、有機(jī)溶劑和填料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述釉料層的成分包括:SiO2、Al2O3、CaO、Li2O、Na2O和K2O。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管,其特征在于,SiO2和Al2O3的摩爾比的范圍是6:1到10:1。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于,所述玻璃漿料層的熱膨脹系數(shù)與所述釉料層的熱膨脹系數(shù)的差小于設(shè)定閾值,所述設(shè)定閾值小于玻璃漿料層的熱膨脹系數(shù)的15%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海大學(xué),未經(jīng)上海大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810190735.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





