[發明專利]一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝有效
| 申請號： | 201810190366.8 | 申請日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN108511336B | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發明（設計）人： | 劉傳利;李向坤;劉星義;徐金金;王琪 | 申請（專利權）人： | 科達半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 山東濟南齊魯科技專利事務所有限公司 37108 | 代理人： | 鄭向群 |
| 地址： | 257091 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 塌陷 關斷 柵極氧化層 新工藝 開通 離子 | ||
本發明提供一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝，其中所述的將GOX柵極氧化層，由原來的1000?調至1200?，將P型體區的硼離子注入由80KeV8E13調至80KeV9E13；優點為：有效改善IGBT芯片柵極塌陷，提高柵極塌陷的值，有充裕的范圍讓IGBT開通或關斷，可降低誤開通或誤關斷現象的出現。
技術領域
本發明涉及工控領域IGBT芯片，尤其涉及一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝。
背景技術
目前市場上工控領域用IGBT芯片的柵極塌陷值較低，終端客戶使用時易造成IGBT開關過程中的誤開通或誤關斷現象，引起變頻器的炸機現象。
本工藝有效改善IGBT芯片柵極塌陷，提高柵極塌陷的值，有充裕的范圍讓IGBT開通或關斷，可降低誤開通或誤關斷現象的出現。
發明內容
本發明為了解決現有技術的不足，而提供一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝。
本發明的新的技術方案是：一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝，IGBT為絕緣柵雙極型晶體管，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成，將GOX柵極氧化層，由原來的1000?調至1200?，將P型體區的硼離子注入由80KeV8E13調至80KeV9E13。
所述的IGBT芯片的靜態參數上表現為通過半導體分立器件測試系統測試所得柵壓VTH提高，VTH由原來的5V提升至5.7V。
所述的IGBT芯片的動態測試上表現為通過動態測試系統和示波器測試所得柵極塌陷（下勾）值提高。
本發明的有益效果是：有效改善IGBT芯片柵極塌陷，提高柵極塌陷的值，有充裕的范圍讓IGBT開通或關斷，可降低誤開通或誤關斷現象的出現。
附圖說明
圖1為動態測試對比圖。
具體實施例
一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝，IGBT為絕緣柵雙極型晶體管，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成，將GOX柵極氧化層，由原來的1000?調至1200?，將P型體區的硼離子注入由80KeV8E13調至80KeV9E13。
所述的IGBT芯片的靜態參數上表現為通過半導體分立器件測試系統測試所得柵壓VTH提高，VTH由原來的5V提升至5.7V。
所述的IGBT芯片的動態測試上表現為通過動態測試系統和示波器測試所得柵極塌陷（下勾）值提高。
1、通過半導體分立器件測試系統測試所得。
2、通過動態測試系統和示波器測試所得。
動態測試系統見圖1。
示波器測試：工藝調整后的柵極塌陷（下勾）為7.8V，比工藝調整前的值6.2V明顯提高。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
