[發(fā)明專利]一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810190366.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108511336B | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉傳利;李向坤;劉星義;徐金金;王琪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 科達(dá)半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/28 | 分類號(hào)： | H01L21/28;H01L21/331;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 山東濟(jì)南齊魯科技專利事務(wù)所有限公司 37108 | 代理人： | 鄭向群 |
| 地址： | 257091 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 塌陷 關(guān)斷 柵極氧化層 新工藝 開通 離子 | ||
1.一種改善IGBT芯片柵極塌陷的工藝，IGBT為絕緣柵雙極型晶體管，由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成，其特征在于：將GOX柵極氧化層，由原來的1000?調(diào)至1200?，將P型體區(qū)的硼離子注入由80KeV8E13調(diào)至80KeV9E13；所述的IGBT芯片的靜態(tài)參數(shù)上表現(xiàn)為通過半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)測試所得柵壓VTH提高，VTH由原來的5V提升至5.7V；所述的IGBT芯片的動(dòng)態(tài)測試上表現(xiàn)為通過動(dòng)態(tài)測試系統(tǒng)和示波器測試所得柵極塌陷下勾值提高；工藝調(diào)整前，靜態(tài)參數(shù)VTH值5.0V在產(chǎn)品應(yīng)用時(shí)的柵極塌陷6.2V；工藝調(diào)整后，靜態(tài)參數(shù)VTH值5.7V在產(chǎn)品應(yīng)用時(shí)的柵極塌陷達(dá)到7.8V，降低誤開通或誤關(guān)斷現(xiàn)象的出現(xiàn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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