[發明專利]一種掩膜版以及具有槽體結構的顯示屏及其制造方法有效
| 申請號: | 201810189805.3 | 申請日: | 2018-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN108417525B | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 崔富毅 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/70 | 分類號: | H01L21/70;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜版 以及 具有 結構 顯示屏 及其 制造 方法 | ||
本發明公開了一種掩膜版以及具有槽體結構的顯示屏及其制造方法,所述方法包括:在襯底基板上覆蓋掩膜版后,對所述襯底基板進行有機材料的篜鍍;將所述襯底基板上設計為開槽區的部分去除,形成具有槽體結構的顯示屏;其中,所述掩膜版對應于所述開槽區的版面包括覆蓋所述開槽區邊框處的半刻蝕區域和覆蓋所述開槽區其余部分的全刻蝕區域。應用本發明可以既減少因掩膜版形變導致的顯示屏的混色不良產生,又便于后期對掩膜版進行清洗。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是指一種掩膜版以及具有槽體結構的顯示屏及其制造方法。
背景技術
隨著電子產品的發展,特別是移動終端的飛速發展,全屏式的顯示器已成為移動終端的主流,大部分的全屏設備使用觸摸方式實現用戶與設備之間的人機交流。OLED顯示屏是利用有機電致發光二極管制成的顯示屏,由于同時具備自發光有機電激發光二極管,不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異之特性,被廣泛應用于平面顯示器技術。而AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩陣有機發光二極體)顯示屏因其集成觸摸技術使之更輕薄,被應用于高端、全屏式智能機型上。
在生產OLED或AMOLED顯示屏時,需對智能機的聽筒及攝像頭進行挖槽設計,以便最終形成產品前將開槽區去除形成槽體結構,以便在槽內裝配聽筒或攝像頭。目前主要的蒸鍍掩膜版設計方式包括如下兩種:
一種方式是將襯底基板上設計為開槽區的部分用半刻蝕的掩膜版覆蓋,然后篜鍍有機材料,如圖1所示。由于半刻蝕掩膜版的遮擋,開槽區將不會篜鍍上有機材料;之后,在后續工藝中將設計為開槽區的部分去除形成槽體結構的顯示屏。然而,在實際應用中本發明的發明人發現,由于通常設計的開槽區尺寸比較大,因此,相應地用于覆蓋開槽區的半刻蝕掩膜版的面積也會比較大,在進行有機材料篜鍍時,在較高溫度下(80℃左右)較大面積的半刻蝕掩膜版更容易產生金屬形變和金屬熱膨脹的不利影響,導致掩膜版更易產生形變,蒸鍍材料的錯位,從而最終產生有機發光層錯位混色現象。
另一種方式則是將襯底基板上設計為開槽區的部分仍用全刻蝕的掩膜版覆蓋,然后在位于開槽區上方的掩膜版上再覆蓋一層open Mask(通用金屬掩膜版),再進行篜鍍有機材料;由于open Mask的遮擋,開槽區不會篜鍍上有機材料;之后,在后續工藝中將設計為開槽區的部分去除形成槽體結構的顯示屏。此處方法,由于沒采用大面積的半刻蝕掩膜版,從而避免了掩膜版在高溫下產生形變的問題,但是操作過程中需要覆蓋兩層掩膜版,操作繁瑣;此外,在篜鍍之后,因為此部分為FMM和Open mask重疊區,存在縫隙,從而導致后期清洗掩膜版不易的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提出一種掩膜版以及具有槽體結構的顯示屏及其制造方法,既減少因掩膜版形變導致的顯示屏的混色不良產生,又便于后期對掩膜版進行清洗。
基于上述目的本發明提供一種具有槽體結構的顯示屏的制造方法,包括:
在襯底基板上覆蓋掩膜版后,對所述襯底基板進行有機材料的篜鍍;
將所述襯底基板上設計為開槽區的部分去除,形成具有槽體結構的顯示屏;
其中,所述掩膜版對應于所述開槽區的版面包括覆蓋所述開槽區邊框處的半刻蝕區域和覆蓋所述開槽區其余部分的全刻蝕區域。
較佳地,所述將所述襯底基板上設計為開槽區的部分去除,具體包括:
沿未篜鍍有機材料的邊框處進行激光切割。
本發明還提供一種掩膜版,用于在有機材料篜鍍前覆蓋顯示屏,其中,所述掩膜版對應于所述顯示屏上設計為開槽區的版面包括:
覆蓋所述開槽區邊框處的半刻蝕區域和覆蓋所述開槽區其余部分的全刻蝕區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





