[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和基板結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810189557.2 | 申請日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN108630615A | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林子閎;張嘉誠;彭逸軒;劉乃瑋 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H05K1/02 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李慶波 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基板 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體晶粒 第一表面 布線結(jié)構(gòu) 第二表面 電耦合 熱膨脹系數(shù) 基板結(jié)構(gòu) 模制材料 電連接 形變 分隔 翹曲 匹配 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，其中所述基板包括布線結(jié)構(gòu)；
第一半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在所述基板的第一表面上，并電耦合至所述布線結(jié)構(gòu)；
第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在所述基板的第一表面上，并電耦合至所述布線結(jié)構(gòu)，其中所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒之間設(shè)有模制材料分隔；以及
第一孔和第二孔，形成在所述基板的第二表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體晶覆蓋粒所述第一孔，所述第二半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第二孔。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一孔和所述第二孔設(shè)置為比所述基板的邊緣更靠近所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒之間的中心線。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一孔與所述第二孔為矩形或圓形。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
第三孔和第四孔，形成在所述基板的第二表面上，所述第一半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第三孔，所述第二半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第四孔，
其中所述第一孔、所述第二孔、所述第三孔和所述第四孔徑向地圍繞所述基板的中心布置。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
第三孔和第四孔，形成在所述基板的第二表面上，所述第一半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第三孔，所述第二半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第四孔，
其中所述第一孔和所述第三孔布置成第一排，并且所述第二孔和所述第四孔布置成第二排，所述第一排和所述第二排平行于所述第一半導(dǎo)體晶粒與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間的中心線。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
第五孔和第六孔，形成在所述基板的第二表面上，所述第一半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第五孔，所述第二半導(dǎo)體晶粒覆蓋所述第六孔，
其中所述第一孔、所述第三孔和所述第五孔沿所述中心線的方向交錯排列，所述第二孔、所述第四孔和所述第六孔沿所述中心線的方向交錯排列。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一表面之上并且在所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒之下；以及
多個凸塊結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基板的第二表面上，其中所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒通過所述基板中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述布線結(jié)構(gòu)電耦合至所述凸塊結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
框架，設(shè)置在所述基板的第一表面上，其中所述框架圍繞所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述模制材料進一步包圍所述第一半導(dǎo)體晶粒及所述第二半導(dǎo)體晶粒，并且所述第一半導(dǎo)體晶粒及所述第二半導(dǎo)體晶粒背對所述基板的表面通過所述模制材料暴露。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
應(yīng)力緩沖層，填充到所述第一孔和第二孔中。
12.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
基板，具有布線結(jié)構(gòu)；
第一半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在所述基板上，并電耦合至所述布線結(jié)構(gòu)；
第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置在所述基板之上，并電耦合至所述布線結(jié)構(gòu)，其中，所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒并排布置；以及
多個孔，形成在所述基板的表面上，其中所述孔位于所述基板上的所述第一半導(dǎo)體晶粒和所述第二半導(dǎo)體晶粒的投影內(nèi)。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述孔位于靠近所述基板的中心處。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聯(lián)發(fā)科技股份有限公司，未經(jīng)聯(lián)發(fā)科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810189557.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
