[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 201810188323.6
• 申請日: 2018-03-07
• 公開（公告）號: CN108493203A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 程亞杰;王三坡;占瓊;張玉靜;黃攀
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供了一種圖像傳感器，包括基底，形成在所述基底上的金屬柵格，以及，形成在所述金屬柵格上的間隔阻障層。本發明通過采用能夠反射光線的間隔阻障層反射光線，以實現降低圖像傳感器中臨近像素單元之間的光串擾的問題，從而提高了圖像傳感器的成像質量。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器是能夠將圖像信息轉化為電信號的半導體傳感器，多應用于數碼相機等影像設備中，通常而言，圖像傳感器可分為電荷耦合器件(Charge-coupled Device，CCD)傳感器以及CMOS圖像傳感器(CMOS Imaging Sensor，CIS)。

目前的CMOS圖像傳感器中，為了防止各個像素之間出現光串擾，采用了金屬柵格結構以隔離不同的像素中的光線。然而，隨著圖像傳感器的像素密度的提升，像素單元的尺寸也在不斷縮小，僅采用金屬柵格結構以防止相鄰像素之間的光串擾，也愈發不能滿足需求了。

發明內容

本發明的目的在于提供一種圖像傳感器以解決現有技術中像素單元之間光串擾的問題。

本發明提供的一種圖像傳感器，包括：

一基底，所述基底中形成有光電二極管；

多個金屬柵格，形成在所述基底上，并且相鄰所述金屬柵格相互間隔，以形成有開口，所述開口界定出光學通道；

多個間隔阻障層，一個所述間隔阻障層對應形成在一個所述金屬柵格上，所述間隔阻障層用于反射照射在其上的光線。

優選的，所述間隔阻障層的折射率大于等于2。

優選的，所述間隔阻障層的材料包括氮化硅。

優選的，所述金屬柵格包括自下而上依次形成的粘合層、金屬層和抗反射層。

優選的，所述金屬層的材質包括鋁或鎢。

優選的，所述粘合層和抗反射層的材料為氮化鈦。

優選的，所述圖像傳感器還包括多個柵格填充層，所述柵格填充層形成在所述基底上，并填充所述開口。

優選的，所述圖像傳感器還包括濾光片，所述濾光片形成在所述間隔阻障層和所述柵格填充層上。

優選的，所述圖像傳感器還包括微型透鏡，所述微型透鏡形成在所述濾光片上。

優選的，所述間隔阻障層的厚度為1000埃～2000埃。

本發明提供的一種圖像傳感器，在金屬柵格上形成了間隔阻障層，所述間隔阻障層能夠反射光線，進而，可以用于反射臨近的像素單元引入的光線，從而降低了臨近像素單元之間的光串擾的問題，提高了圖像傳感器的成像質量；并且，在提升傳感器芯片性能的同時也不會增加成本，具有更強的競爭力。

附圖說明

圖1是本發明一實施例中圖像傳感器的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的一種圖像傳感器作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

圖1是本發明一實施例中圖像傳感器的結構示意圖，以下參考圖1所示，本發明提供的一種圖像傳感器，包括：

一基底1，所述基底中形成有光電二極管；

多個金屬柵格2，形成在所述基底1上，并且相鄰所述金屬柵格2相互間隔，以形成有開口，所述開口界定出光學通道；