[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號： | 201810188323.6 | 申請日： | 2018-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN108493203A | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發明（設計）人： | 程亞杰;王三坡;占瓊;張玉靜;黃攀 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 反射光線 金屬柵格 阻障層 基底 像素單元 光串擾 成像 | ||
【權利要求書】：
1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：
一基底，所述基底中形成有光電二極管；
多個金屬柵格，形成在所述基底上，并且相鄰所述金屬柵格相互間隔，以形成有開口，所述開口界定出光學通道；
多個間隔阻障層，一個所述間隔阻障層對應形成在一個所述金屬柵格上，所述間隔阻障層用于反射照射在其上的光線。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述間隔阻障層的折射率大于等于2。
3.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述間隔阻障層的材料包括氮化硅。
4.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述金屬柵格包括自下而上依次形成的粘合層、金屬層和抗反射層。
5.如權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述金屬層的材質包括鋁或鎢。
6.如權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述粘合層和抗反射層的材料為氮化鈦。
7.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：
多個柵格填充層，形成在所述基底上，并填充所述開口。
8.如權利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：
濾光片，形成在所述間隔阻障層和所述柵格填充層上。
9.如權利要求8所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：
微型透鏡，形成在所述濾光片上。
10.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述間隔阻障層的厚度為1000?！?000埃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
