[發(fā)明專利]擺率增強運算跨導放大器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810187431.1
• 申請日: 2018-03-07
• 公開（公告）號: CN108336981A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬彪
• 申請（專利權(quán)）人: 馬彪
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種擺率增強運算跨導放大器，包括：

主體部分，為兩級運算跨導放大器，用于實現(xiàn)運算跨導放大；

負向擺率增強支路，用于增大接入支路的電流，以增強負向擺率；

正向擺率增強支路，用于增大接入支路的電流，以增強正向擺率；

第一比較器，用于產(chǎn)生正向擺率增強控制信號，以控制正向擺率增強支路；

第二比較器，用于產(chǎn)生負向擺率增強控制信號，以控制負向擺率增強支路。

2.如權(quán)利要求1所述的擺率增強運算跨導放大器，其特征在于，所述主體部分的輸入級采用共源共柵折疊式差分放大器，其輸出級采用CLASS AB輸出級，共源共柵折疊式差分放大器的中間插入的并聯(lián)的第十六NMOS管、第二十PMOS管用于偏置CLASS AB輸出級，其連接關(guān)系如下：第一PMOS管的源極與第二PMOS管的源極相連連接第三PMOS管的漏極，第三PMOS管的源極連接第四PMOS管的漏極，第四PMOS管的源極連接電源，第五PMOS管的源極連接電源，第五PMOS管的漏極連接第六PMOS管的源極，第六PMOS管的漏極連接第五PMOS管與第七PMOS管的柵極、第十五NMOS的漏極、第十九PMOS管源極，第七PMOS管的源極連接電源，第七PMOS管的漏極連接第八PMOS管的源極，第八PMOS管的漏極連接第九PMOS管的柵極、第十六NMOS的漏極以及第二十PMOS的源極，第九PMOS管的源極接電源，第九PMOS管的漏極接第一電容的一端，第一電容的另一端接第八PMOS的源極，第一NMOS的源極與第三NMOS管的源極連接地，第一NMOS管的漏極連接第二PMOS管的漏極與第二NMOS管的源極，第三NMOS管的漏極連接第一PMOS管的漏極與第四NMOS管的源極，第二NMOS管的漏極與第十五NMOS管的源極、第十九PMOS管的漏極連接，第四NMOS管的漏極與第十六NMOS管的源極、第二十PMOS管的漏極、第九NMOS管的柵極連接，第九NMOS管的源極接地，第九NMOS管的漏極連接第二電容的一端，第二電容的另一端連接第四NMOS管的源極，第一偏置電壓連接第四PMOS管的柵極，第二偏置電壓連接第三PMOS管、第六PMOS管、第八PMOS管的柵極連接，第三偏置電壓連接第十九PMOS管、第二十PMOS管的柵極，第四偏置電壓連接第十五NMOS管、第十六NMOS管的柵極，第五偏置電壓連接第二NMOS管、第四NMOS管的柵極，第六偏置電壓連接第一NMOS管、第三NMOS管的柵極，反相輸入端連接第一PMOS管的柵極，同相輸入端連接第二PMOS管的柵極，放大器輸出端連接第九PMOS管、第九NMOS管的漏極，正向擺率增強支路的輸出接入到第六PMOS管的漏極，負向擺率增強支路的輸出接入到第四NMOS管的漏極。

3.如權(quán)利要求1所述的擺率增強運算跨導放大器，其特征在于，所述負向擺率增強支路為受所述負向擺率增強控制信號控制的電流源，該電流源可以采用NMOS管或PMOS管或二者的組合實現(xiàn)，其中利用NMOS管實現(xiàn)的負向擺率增強支路的連接關(guān)系如下：

第五NMOS管的源極連接地，第五NMOS管的柵極連接第六偏置電壓，第五NMOS管的漏極連接第六NMOS管的源極，第六NMOS管的柵極連接所述負向擺率增強控制信號，第六NMOS管的漏極為負向擺率增強支路的輸出端。

4.如權(quán)利要求1所述的擺率增強運算跨導放大器，其特征在于，所述正向擺率增強支路為受所述正向擺率增強控制信號控制的電流源，該電流源可以采用NMOS管或PMOS管或二者的組合實現(xiàn)，其中利用NMOS管實現(xiàn)的正向擺率增強支路的連接關(guān)系如下：

第七NMOS管的源極連接地，第七NMOS管的柵極連接第六偏置電壓，第七NMOS管的漏極連接第八NMOS管的源極，第八NMOS管的柵極，連接所述正向擺率增強控制信號，第八NMOS管的漏極為正向擺率增強支路的輸出端。