[發明專利]一種OLED顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201810186722.9 | 申請日: | 2018-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN108511489B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 唐甲;張曉星;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發明提供一種OLED顯示面板及其制備方法,該方法包括下述步驟:制備TFT背板;在TFT背板上制備包含多個島狀結構的像素定義層;其中,島狀結構包含第一導電體以及位于第一導電體外圍的第一絕緣體;在第一導電體上制備多個具有尖端或者棱角結構的第二導電體;在像素定義層上制備電子層;電子層包含電子傳輸層以及電子注入層;在電子注入層上制備陰極層;給像素定義層施加外場,第二導電體將所述電子層擊穿,使得第二導電體與陰極層電性連接,外場包括電流或電場。本發明可以減少TFT背板的布線空間,同時還可以解決大尺寸OLED顯示面板在點亮時的IR壓降問題,有利于電路設計以及TFT背板高像素密度的設計。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
背景技術
大尺寸OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示面板(即整面蒸鍍有機材料的OLED顯示面板,一般為5代線及以上所生產的OLED顯示面板)工作時,面板的顯示中心與中心以外、四周邊緣會有IR drop的問題(即顯示面板的電源電壓通過導線傳輸至顯示面板有效顯示區的像素電路時,因為導線上會有電阻,因而電源電壓在傳輸過程中會產生直流壓降,也即是IR壓降,IR壓降會導致顯示面板最終的亮度不均),因此需額外在背板上制作輔助電極,給壓降較大的區域額外施加輔助,使整個顯示面板工作時畫面顯示均一穩定,小尺寸OLED顯示面板的IR drop的現象不明顯,因此不需要用到輔助電極。目前輔助電極的主要方案是在像素定義層上制作倒梯形隔離柱(pillar)來實現,倒梯形隔離柱的制作成本高并且工藝制程復雜,使得EL/IJP-OLED(蒸鍍制備的OLED顯示面板和噴墨打印制備的OLED顯示面板)的背板的工藝實現更加困難,并且倒梯形隔離柱還需要額外占用空間。另外還需要在像素定義層上再設計一個連接孔(contact hole)用來實現陰極與陽極搭界,這些對于電路設計以及背板高PPI(像素密度)的設計都是不利的。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供一種OLED顯示面板及其制備方法,可以減少TFT背板的布線空間,同時還可以解決大尺寸OLED顯示面板在點亮時的IR壓降問題,有利于電路設計以及TFT背板高像素密度的設計。
本發明提供的一種OLED顯示面板的制備方法,包括下述步驟:
制備TFT背板;
在所述TFT背板上制備包含多個島狀結構的像素定義層;其中,所述島狀結構包含第一導電體以及位于所述第一導電體外圍的第一絕緣體;
在所述第一導電體上制備多個具有尖端或者棱角結構的第二導電體;
在所述像素定義層上制備電子層;所述電子層包含電子傳輸層以及電子注入層;
在所述電子注入層上制備陰極層;
給所述像素定義層施加外場,所述第二導電體將所述電子層擊穿,使得所述第二導電體與所述陰極層電性連接,所述外場包括電流或電場。
優選地,還包括下述步驟:
在所述TFT背板上相鄰的所述島狀結構之間依次制備空穴層、發光層以及所述電子層;所述空穴層包含空穴注入層以及空穴傳輸層。
優選地,制備所述發光層,具體為:
采用蒸鍍或者噴墨打印的方式在所述空穴傳輸層上制備OLED材料的發光層。
優選地,在所述TFT背板上制備包含多個島狀結構的像素定義層,包括下述步驟:
在所述TFT背板上制備島狀的第二絕緣體;
在所述第二絕緣體上刻蝕出第一過孔;
在所述第一過孔中形成導電材料層,并圖形化所述導電材料層得到所述第一導電體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





