[發(fā)明專利]一種OLED顯示面板及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810186722.9
• 申請日: 2018-03-07
• 公開（公告）號: CN108511489B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐甲;張曉星;任章淳
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳匯智容達專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44238
• 代理人: 潘中毅;熊賢卿

1.一種OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

制備TFT背板，所述制備TFT背板包括在玻璃基板上制備多個相互獨立的遮光層；在所述玻璃基板上制備緩沖層，且所述緩沖層覆蓋所述遮光層；在所述緩沖層上且位于所述遮光層上方的區(qū)域制備半導(dǎo)體溝道層、柵極絕緣層以及柵極；在所述緩沖層上制備層間間隔層，且所述層間間隔層覆蓋所述柵極、所述柵極絕緣層以及所述半導(dǎo)體溝道層；在所述層間間隔層上刻蝕出至少一對第二過孔，所述至少一對第二過孔位于所述柵極兩側(cè)且位于所述半導(dǎo)體溝道層上方；在所述層間間隔層上制備源極和漏極，且所述源極和所述漏極通過所述至少一對第二過孔與所述半導(dǎo)體溝道層連接；

在所述TFT背板上制備包含多個島狀結(jié)構(gòu)的像素定義層；其中，所述島狀結(jié)構(gòu)包含第一導(dǎo)電體以及位于所述第一導(dǎo)電體外圍的第一絕緣體；

在所述第一導(dǎo)電體上制備多個具有尖端或者棱角結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電體；

在所述像素定義層上制備電子層；所述電子層包含電子傳輸層以及電子注入層；

在所述電子注入層上制備陰極層；

給所述像素定義層施加外場，所述第二導(dǎo)電體將所述電子層擊穿，使得所述第二導(dǎo)電體與所述陰極層電性連接，所述外場包括電流或電場。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，還包括下述步驟：

在所述TFT背板上相鄰的所述島狀結(jié)構(gòu)之間依次制備空穴層、發(fā)光層以及所述電子層；所述空穴層包含空穴注入層以及空穴傳輸層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，制備所述發(fā)光層，具體為：

采用蒸鍍或者噴墨打印的方式在所述空穴傳輸層上制備OLED材料的發(fā)光層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述TFT背板上制備包含多個島狀結(jié)構(gòu)的像素定義層，包括下述步驟：

在所述TFT背板上制備島狀的第二絕緣體；

在所述第二絕緣體上刻蝕出第一過孔；

在所述第一過孔中形成導(dǎo)電材料層，并圖形化所述導(dǎo)電材料層得到所述第一導(dǎo)電體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層貼附在所述緩沖層上或者所述柵極貼附在所述緩沖層上，且所述柵極絕緣層位于所述柵極與所述半導(dǎo)體溝道層之間；

所述半導(dǎo)體溝道層的材料為低溫多晶硅或者半導(dǎo)體氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，制備TFT背板還包括下述步驟：

在所述層間間隔層上制備鈍化層，在所述鈍化層上制備平坦層；

在所述平坦層以及所述鈍化層上刻蝕出至少一個第三過孔，且所述至少一個第三過孔位于所述源極或所述漏極的上方；

在所述平坦層上制備至少一個陽極，且所述至少一個陽極通過所述第三過孔與所述源極或所述漏極連接。